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公开(公告)号：CN112051694A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010297701.1
申请日：2020-04-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种与以往相比转换后的波长短的波长转换装置。波长转换装置具备：由通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)形成的第一层；以及由上述通式RAMO4所示的单晶体形成且极化方向与上述第一层相比反转180°的第二层。
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公开(公告)号：CN107227490B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201710077426.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于得到高品质的包含III族氮化物结晶的III族氮化物半导体。所述III族氮化物半导体具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板；在所述RAMO4基板上配置的III族氮化物结晶；和在所述RAMO4基板与所述III族氮化物结晶之间，由不同于所述RAMO4基板和所述III族氮化物结晶的材料构成，且具有多个开口的异种膜。
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公开(公告)号：CN107099844B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN112051695A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497257.8
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104039A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
CPC classification number: B24B7/22 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01L21/2056 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN111286781B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911239070.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
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公开(公告)号：CN111101197B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910719226.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体及其制造方法。该III族氮化物半导体能够使缺陷密度较低的高品质的晶体生长，包括：包含由通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示从Sc、In、Y及镧系元素中选择的一个或多个三价元素，A表示从Fe(III)、Ga及Al中选择的一个或多个三价元素，M表示从Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中选择的一个或多个二价元素)的RAMO4基板；配置于所述RAMO4基板上的p型III族氮化物晶体层；配置于所述p型III族氮化物晶体层上，且彼此分离的多个n型III族氮化物晶体层；以及配置于所述多个n型III族氮化物晶体层上的III族氮化物晶体层。
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公开(公告)号：CN113258433A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011643944.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明涉及激光振荡器以及激光加工方法。激光振荡器具备：出射第1激光的第1激光二极管；出射波长与第1激光不同的第2激光的第2激光二极管；驱动第1激光二极管的第1电流源；驱动第2激光二极管的第2电流源；使第1激光以及第2激光叠加的合成单元；和将通过合成单元合成的激光向外部出射的输出镜。
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