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公开(公告)号：CN116997691A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280017444.9
申请日：2022-03-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 一种III族氮化物晶体衬底，具有主面和主面相反侧的背面。另外，主面的平均位错密度和背面的平均位错密度为6.0×105cm－2以下。此外，主面的平均位错密度和背面的平均位错密度的差为5.0×104cm－2以下。主面晶轴翘曲为曲率半径30m以上。
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公开(公告)号：CN113629490A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110397398.7
申请日：2021-04-12
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本公开提供一种激光二极管条及其制造方法、使用其的波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条具备：氮化物半导体基板，将(0001)面作为面方位，并且具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；层叠构造体，形成在所述氮化物半导体基板上，包括第1导电型包层、活性层以及第2导电型包层；多个发射极，以发射极的波导方向与所述偏离角的主轴方向垂直的方式，呈条带状地形成于所述层叠构造体。
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公开(公告)号：CN107119320B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
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公开(公告)号：CN107099844A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN107104039B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107227490A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710077426.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L31/1852 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458
Abstract: 本发明的课题在于得到高品质的包含III族氮化物结晶的III族氮化物半导体。所述III族氮化物半导体具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板；在所述RAMO4基板上配置的III族氮化物结晶；和在所述RAMO4基板与所述III族氮化物结晶之间，由不同于所述RAMO4基板和所述III族氮化物结晶的材料构成，且具有多个开口的异种膜。
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公开(公告)号：CN107119320A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
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公开(公告)号：CN107227490B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201710077426.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于得到高品质的包含III族氮化物结晶的III族氮化物半导体。所述III族氮化物半导体具有：包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板；在所述RAMO4基板上配置的III族氮化物结晶；和在所述RAMO4基板与所述III族氮化物结晶之间，由不同于所述RAMO4基板和所述III族氮化物结晶的材料构成，且具有多个开口的异种膜。
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公开(公告)号：CN107099844B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN107104039A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
CPC classification number: B24B7/22 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01L21/2056 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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