公开(公告)号：CN109817778A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811387490.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  横山信之 ,  大森健志

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供减小偏角分布和基板表面的高低差的GaN基板。GaN基板在表面具有Ga面和N面且由GaN单晶构成，其中，Ga面具有平面部和包围平面部的周围的曲面部，N面的偏角分布比Ga面的偏角分布大。

公开(公告)号：CN115608752B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202210828750.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 松田源一郎 ,  片冈秀直 ,  日野直文

IPC: B09B3/38 ,  B09B3/80 ,  B09B5/00 ,  B09B101/02 ,  B09B101/67

Abstract: 本发明提供一种使用后的纸尿布处理装置，其通过消除使用后的纸尿布处理装置的待机时间而能够利用一台装置对大量的使用后的纸尿布进行减重处理。该使用后的纸尿布处理装置具备连续投入部(23)，该连续投入部(23)具备：多个保持部(24)，其能够在处理槽的上部分别保持使用后的纸尿布；以及保持部旋转驱动部(28)，其将各保持部旋转驱动到与处理槽连结的开口部(27)的上方的投入位置(I)和所述投入位置(I)以外的待机位置(II)。通过保持部旋转驱动部使保持部旋转而位于投入位置，由此将保持于保持部的使用后的纸尿布从开口部投入处理槽。

公开(公告)号：CN109817778B

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN201811387490.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  横山信之 ,  大森健志

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供减小偏角分布和基板表面的高低差的GaN基板。GaN基板在表面具有Ga面和N面且由GaN单晶构成，其中，Ga面具有平面部和包围平面部的周围的曲面部，N面的偏角分布比Ga面的偏角分布大。

公开(公告)号：CN115608752A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210828750.2

申请日：2022-07-13

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 松田源一郎 ,  片冈秀直 ,  日野直文

IPC: B09B3/38 ,  B09B3/80 ,  B09B5/00 ,  B09B101/02 ,  B09B101/67

Abstract: 本发明提供一种使用后的纸尿布处理装置，其通过消除使用后的纸尿布处理装置的待机时间而能够利用一台装置对大量的使用后的纸尿布进行减重处理。该使用后的纸尿布处理装置具备连续投入部(23)，该连续投入部(23)具备：多个保持部(24)，其能够在处理槽的上部分别保持使用后的纸尿布；以及保持部旋转驱动部(28)，其将各保持部旋转驱动到与处理槽连结的开口部(27)的上方的投入位置(I)和所述投入位置(I)以外的待机位置(II)。通过保持部旋转驱动部使保持部旋转而位于投入位置，由此将保持于保持部的使用后的纸尿布从开口部投入处理槽。

公开(公告)号：CN107230662B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710070667.2

申请日：2017-02-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  冈山芳央 ,  横山信之 ,  鹰巢良史

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明的课题在于防止具有劈开性的RAMO4基板的破坏。解决方法为一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基材部，所述RAMO4基材部在端部具有倾斜部。

公开(公告)号：CN107230662A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710070667.2

申请日：2017-02-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  冈山芳央 ,  横山信之 ,  鹰巢良史

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/13

CPC classification number: C30B29/22 ,  C01F17/0025 ,  H01L23/147 ,  H01L23/13

Abstract: 本发明的课题在于防止具有劈开性的RAMO4基板的破坏。解决方法为一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基材部，所述RAMO4基材部在端部具有倾斜部。

公开(公告)号：CN107230611A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710070303.4

申请日：2017-02-08

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 田代功 ,  片冈秀直 ,  冈山芳央 ,  横山信之 ,  鹰巢良史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的课题在于，在III族氮化物的制造中将RAMO4基板容易地再利用。解决方法为一种III族氮化物结晶制造方法，其具有：准备RAMO4基板的工序，所述RAMO4基板包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)，在侧部具有切口；在所述RAMO4基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以上述切口为起点使所述RAMO4基板劈开的工序。