公开(公告)号：CN102870209B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180019475.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 齐藤浩一 ,  冈山芳央 ,  柳瀬康行

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4832 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 在通过晶圆级工艺技术制造电路装置的情况下，抑制半导体衬底的弯曲。为使设于半导体衬底（50）的元件电极（52），和被薄型化前的铜板（200）所连接的突起电极（32）电连接，在以130℃以下的温度（第1温度）贴合半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）后，在将铜板（200）薄膜化为布线层的厚度的状态下，以170℃以上的高温（第2温度）压接半导体衬底（50）和被层叠了绝缘树脂层（20）的铜板（200）。此后，通过使薄膜化后的铜板（200）布线成形，来形成布线层（再布线）。