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公开(公告)号：CN102800634B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210163811.4
申请日：2012-05-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: H01L23/315 , H01L23/3157 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/131 , H01L2224/14131 , H01L2224/14136 , H01L2224/16238 , H01L2224/29017 , H01L2224/29035 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/2919 , H01L2224/30155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2224/831 , H01L2224/83862 , H01L2224/9221 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明提供的半导体封装器件的安装结构体及制造方法，能维持焊料接合的品质，以具有耐久性的强度连结半导体封装器件与基板。在将半导体封装器件(3)装配在基板(1)上、并在基板(1)与半导体封装器件(3)的外周部之间涂布粘接剂时，将粘接剂(6a)作为第一涂布涂布在基板(1)上，在其上涂布粘接剂(6b)作为第二涂布，以使半导体封装器件(3)的外周部与粘接剂(6a)结合，之后进行回流，使焊料熔融，粘接剂(6a)和(6b)固化后，使焊料接合凝固，在这样的情况下，第一涂布的粘接剂部(60a)的截面积(S1)和第二涂布的粘接剂部(60b)的截面积(S2)的关系满足(S1)≤(S2)。
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公开(公告)号：CN105463577A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510617566.3
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C01B21/0632
Abstract: 本发明提供一种抑制含氮元素气体的热分解、提高了生产率的III族氮化物晶体制造方法。III族氮化物晶体制造装置具备：腔室、用于向腔室内导入含氮元素气体的含氮元素气体导入管、用于保持III族氧化物的保持部、加热保持部的第一加热器、向III族氧化物供给还原性气体的还原性气体导入管、将利用还原性气体还原了的III族氧化物的还原物气体向腔室内供给的还原物气体供给口、将III族氧化物的还原物气体和含氮元素气体向腔室外排出的排出口、以及加热腔室内的种基板的第二加热器，保持部与所述第一加热器的距离比含氮元素气体导入管与第一加热器的距离近。
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公开(公告)号：CN119452473A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380052961.4
申请日：2023-06-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L23/36 , H01L23/373
Abstract: 本明提供一种石墨结构体，其具有：石墨板，其具有至少一个以上沿与基面正交的方向贯穿的贯穿孔；包覆层，其利用能够与构成石墨板的碳原子形成化合物的第1金属，覆盖至少一个贯穿孔的内周面和石墨板的全周；多孔的第2金属，其覆盖包含由至少一个贯穿孔的内周面包围的区域的包覆层的全周；以及第3金属，其覆盖多孔的第2金属的全周，石墨板与多孔的第2金属经由包覆层相互接合，第3金属与多孔的第2金属接合。
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公开(公告)号：CN105463576A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510617542.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C30B25/10 , C01B21/0632 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。
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公开(公告)号：CN119234280A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041642.3
申请日：2023-04-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01B1/04 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/182 , C01B32/19 , C01B32/194 , H01G11/40 , H01G11/42 , H01M4/133 , H01M4/62 , H01M4/86 , H01M4/88
Abstract: 本发明提供一种导电性多孔材料，其含有包含生物来源的纤维状碳质的骨架结构体和由该骨架结构体保持的石墨烯，在10MPa以下的加压下测定的体积电阻率为1.0×10‑3～1.0×100Ω·cm，利用加速器质谱法（AMS法）测定时的生物质度处于5～55pMC的范围，并提供包含该导电性多孔材料的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105463577B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510617566.3
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种抑制含氮元素气体的热分解、提高了生产率的III族氮化物晶体制造方法。III族氮化物晶体制造装置具备：腔室、用于向腔室内导入含氮元素气体的含氮元素气体导入管、用于保持III族氧化物的保持部、加热保持部的第一加热器、向III族氧化物供给还原性气体的还原性气体导入管、将利用还原性气体还原了的III族氧化物的还原物气体向腔室内供给的还原物气体供给口、将III族氧化物的还原物气体和含氮元素气体向腔室外排出的排出口、以及加热腔室内的种基板的第二加热器，保持部与所述第一加热器的距离比含氮元素气体导入管与第一加热器的距离近。
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公开(公告)号：CN114071951A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110853993.7
申请日：2021-07-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种散热器及其制造方法。散热器(101)具备石墨板(102)、与石墨板邻接配置的2个基材(103)、以及固定构件(106)，石墨板为带状，具有翅片部(104)和设置于翅片部的一端的基部(105)，基材具有能够将固定构件插入的孔部(103A)，基材以固定构件插入到2个基材的孔部中且与基部的厚度方向的两侧邻接的方式配置，并且，基部与邻接于基部的厚度方向的两侧的基材相互密合，并且，邻接的基材在相互密合的状态下被固定构件铆接固定，在将翅片部的表面粗糙度设为Ra1、将基材的表面粗糙度设为Ra2、将基部的表面粗糙度设为Ra3的情况下，为Ra1＞Ra2≥Ra3的关系。
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公开(公告)号：CN110957416A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910746678.7
申请日：2019-08-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种对于长边方向上的磁应变具有特定的磁致伸缩特性、且在长边方向上表现出充分大的磁致伸缩量的FeGa系的磁致伸缩元件以及磁致伸缩元件的制造方法。磁致伸缩元件由Fe(100-α)Gaα(α为Ga含有率，14≤α≤19)或者Fe(100-α-β)GaαXβ(α为Ga含有率，β为X含有率，X为从由Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Cu以及C中选择的1种以上的元素，14≤α≤19且0.5≤β≤1)的单晶合金的磁致伸缩材料构成，具有长边方向的第1尺寸以及与长边方向正交的短边方向的第2尺寸，长边方向与单晶合金的＜100＞晶体取向平行，在与短边方向x轴以及长边方向y轴的xy平面平行且以从x轴偏移0°≤θ≤90°施加磁场时，y轴方向的Lmax以及Lmin满足0≤Lmin≤Lmax/10且100ppm≤Lmax≤1000ppm。
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公开(公告)号：CN110364618A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910125627.2
申请日：2019-02-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩材料以及使用其的磁致伸缩式设备，能够表现出大的磁致伸缩量且机械强度优异。磁致伸缩材料由下述式(1)表示的FeGaC合金构成，Fe(100-x-y)GaxCy(1)式(1)中，x以及y分别为Ga含有率(at％)以及C含有率(at％)，满足y≤0.5x-7.75、y≤-x+20且y≥0.5。
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公开(公告)号：CN105463576B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201510617542.8
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。
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