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公开(公告)号：CN108221046B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201711280650.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
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公开(公告)号：CN112051694A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010297701.1
申请日：2020-04-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种与以往相比转换后的波长短的波长转换装置。波长转换装置具备：由通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)形成的第一层；以及由上述通式RAMO4所示的单晶体形成且极化方向与上述第一层相比反转180°的第二层。
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公开(公告)号：CN107099844B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN112051695A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497257.8
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108221046A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711280650.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C30B25/205 , C30B7/005 , C30B29/403
Abstract: 本发明的目的在于，提供品质更良好的RAMO4基板。本发明提供一种RAMO4基板，其包含含有通式RAMO4表示的单晶体(通式中，R表示选自由Sc、In、Y和镧系元素组成的组中的一种或多种三价元素，A表示选自由Fe(III)、Ga和Al组成的组中的一种或多种三价元素，M表示选自由Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd组成的组中的一种或多种二价元素)的RAMO4单晶基板，所述RAMO4单晶基板在主面具备多个槽，所述主面相对于所述单晶体的劈开面具有偏离角θ，将位于所述槽间的凸部的顶面的宽度记作Wx，并将所述凸部的高度记作Wy时，满足tanθ≤Wy/Wx。
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公开(公告)号：CN107104039A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
CPC classification number: B24B7/22 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01L21/2056 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN107104039B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN107119320A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
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公开(公告)号：CN111286781B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN201911239070.1
申请日：2019-12-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明涉及RAMO4基板及其制造方法、以及III族氮化物半导体。本发明提供一种在形成III族氮化物结晶时或其制作后难以破裂的RAMO4基板。制成下述RAMO4基板，其包含通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)，在通过上述RAMO4基板中心的直线上测定多个位置Xi的X射线峰位置ωi时，由该ωi和测定位置Xi算出的结晶面的曲率半径r的绝对值为52m以上，该ω与测定位置Xi的相关系数ρ的平方为0.81以上。
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