-
公开(公告)号：CN105463577A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510617566.3
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C01B21/0632
Abstract: 本发明提供一种抑制含氮元素气体的热分解、提高了生产率的III族氮化物晶体制造方法。III族氮化物晶体制造装置具备：腔室、用于向腔室内导入含氮元素气体的含氮元素气体导入管、用于保持III族氧化物的保持部、加热保持部的第一加热器、向III族氧化物供给还原性气体的还原性气体导入管、将利用还原性气体还原了的III族氧化物的还原物气体向腔室内供给的还原物气体供给口、将III族氧化物的还原物气体和含氮元素气体向腔室外排出的排出口、以及加热腔室内的种基板的第二加热器，保持部与所述第一加热器的距离比含氮元素气体导入管与第一加热器的距离近。
-
公开(公告)号：CN107104039B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN107230737B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710056925.1
申请日：2017-01-25
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 冈山芳央
Abstract: 本发明的课题在于，提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。解决方法为一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。通过以该III族氮化物基板为解决手段，能够解决上述课题。上述课题即在于提供制造高品质的III族氮化物结晶的方法。为了解决该课题，提供一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，上述正面与所述背面的Mg浓度不同。
-
公开(公告)号：CN107119320A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
-
公开(公告)号：CN104380462B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380028042.X
申请日：2013-04-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 冈山芳央
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30101 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及并联驱动三个以上的功率半导体元件来进行功率转换的功率半导体装置，其目的在于降低施加于各功率半导体元件的端子间的电压的偏差，提高功率半导体元件的寿命、功率半导体装置的可靠性。为了达到该目的，本发明包括：并列搭载在金属布线(4)上的三个以上的功率半导体元件(701～704)；与金属布线(4)不同的金属布线(5)，功率半导体元件的一个端子与布线(4)相连接，另一个端子与布线(5)相连接，在该功率半导体装置中，搭载有功率半导体元件(701～704)的区域的金属布线(4)的电阻值在电流的流动方向的下游侧比上游侧大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107119320B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
-
公开(公告)号：CN105463577B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510617566.3
申请日：2015-09-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明提供一种抑制含氮元素气体的热分解、提高了生产率的III族氮化物晶体制造方法。III族氮化物晶体制造装置具备：腔室、用于向腔室内导入含氮元素气体的含氮元素气体导入管、用于保持III族氧化物的保持部、加热保持部的第一加热器、向III族氧化物供给还原性气体的还原性气体导入管、将利用还原性气体还原了的III族氧化物的还原物气体向腔室内供给的还原物气体供给口、将III族氧化物的还原物气体和含氮元素气体向腔室外排出的排出口、以及加热腔室内的种基板的第二加热器，保持部与所述第一加热器的距离比含氮元素气体导入管与第一加热器的距离近。
-
公开(公告)号：CN107190324A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710068240.9
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B29/403 , C30B29/22
Abstract: 本发明提供在RAMO4基板上通过助熔剂法制造高品质的III族氮化物结晶的方法。所述III族氮化物结晶的制造方法包括：在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板的外延生长面以外的区域形成保护层的保护层形成工序；在所述RAMO4基板的外延生长面上，通过助熔剂法形成III族氮化物结晶的结晶形成工序。
-
公开(公告)号：CN107099844A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
-
公开(公告)号：CN104380462A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380028042.X
申请日：2013-04-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 冈山芳央
CPC classification number: H02M7/537 , H01L23/3107 , H01L23/48 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/50 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30101 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及并联驱动三个以上的功率半导体元件来进行功率转换的功率半导体装置，其目的在于降低施加于各功率半导体元件的端子间的电压的偏差，提高功率半导体元件的寿命、功率半导体装置的可靠性。为了达到该目的，本发明包括：并列搭载在金属布线(4)上的三个以上的功率半导体元件(701～704)；与金属布线(4)不同的金属布线(5)，功率半导体元件的一个端子与布线(4)相连接，另一个端子与布线(5)相连接，在该功率半导体装置中，搭载有功率半导体元件(701～704)的区域的金属布线(4)的电阻值在电流的流动方向的下游侧比上游侧大。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.027 seconds)
