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公开(公告)号：CN112051694A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010297701.1
申请日：2020-04-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种与以往相比转换后的波长短的波长转换装置。波长转换装置具备：由通式RAMO4所示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一种或多种三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一种或多种三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一种或多种二价元素)形成的第一层；以及由上述通式RAMO4所示的单晶体形成且极化方向与上述第一层相比反转180°的第二层。
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公开(公告)号：CN107119320B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201710066347.X
申请日：2017-02-06
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
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公开(公告)号：CN107099844A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114624805A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111471755.6
申请日：2021-12-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B6/00
Abstract: 发光装置具备：光源，从光出射面出射具有指向性的光；波导构造体，具有：具有与光出射面对置的入口的光波导路径以及从入口向光出射面侧突出的周壁部；和透镜，处于光出射面与入口之间。周壁部具有包围入口的内表面。在周壁部，光出射面侧的开口比入口侧的开口大。周壁部包含从光的光轴的方向来看而周壁部的内部空间比透镜小的窄口部位。周壁部的内表面至少在窄口部位，包含倾斜为越接近入口则内部空间越窄的倾斜面。透镜被配置为在周壁部的内部空间与窄口部位抵接。
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公开(公告)号：CN107099844B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710055484.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/22 , C30B25/18 , C30B33/00
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN112051695A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010497257.8
申请日：2020-06-03
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 一种波长转换装置，其具有腔室，该腔室包含RAMO4晶体、激光晶体和镜，所述RAMO4晶体含有由通式RAMO4所示的单晶体，其中，通式中，R表示选自Sc、In、Y及镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga及Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn及Cd中的一个或多个二价元素。
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公开(公告)号：CN107104039A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
CPC classification number: B24B7/22 , C30B29/22 , C30B33/00 , H01L21/2056 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN107104039B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201710068257.4
申请日：2017-02-07
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/22 , C30B29/40 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
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