半导体装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107424972A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710684423.3

    申请日:2012-12-19

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间,在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈,在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈,它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时,在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。

    半导体装置
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108807208B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN201810383978.9

    申请日:2013-03-25

    Abstract: 公开了一种半导体装置。在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1),以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜,在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF),在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方,线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

    半导体器件
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104603940B

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201480001983.9

    申请日:2014-01-29

    Abstract: 使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2);形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3);形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C),实现耐湿性的提高。

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