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公开(公告)号：CN113241253A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110538469.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，对Ta和Co40Fe40B20的表面进行清洗，在基片上依次沉积所述Ta2O5、Ta、Co40Fe40B20、MgO及Ta，从而形成Ta2O5/Ta/Co40Fe40B20/MgO/Ta的薄膜体系，在真空环境下，对所述薄膜体系进行热处理，重复上述步骤得到所述铁磁/氧化物多层膜，本申请提供的铁磁/氧化物多层膜的制备方法，通过在多层膜最底层插入同质氧化物来达到减弱原子扩散的目的，可以有效调控多层膜界面氧迁移程度的变化，获得适度且有益的Fe‑O轨道杂化状态，从而优化CoFeB/MgO界面处Fe 3d和O 2p轨道耦合作用，导致了很好的垂直磁各向异性热稳定性，上述制备工艺简单、控制方便、效率高、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN119900002A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510392021.0
申请日：2025-03-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于金属磁性薄膜材料技术领域，具体公开了一种磁码盘材料及制备方法、磁编码器，该磁码盘材料中包括有双Au催化磁力层和Ta层，其中双Au催化FeCrCoMoTi磁力层包括有第一Au层、FeCrCoMoTi层和第二Au层；FeCrCoMoTi磁码盘材料还经过645℃‑655℃真空退火。本申请还提供了上述磁码盘材料的具体制备方法，以及包括上述磁码盘材料的磁编码器。本申请所提供的包括双Au催化FeCrCoMoTi磁力层的磁码盘材料，制备工艺简单，相较传统的FeCrCoMoTi薄膜，其矫顽力有明显增幅，且同时制备过程简单高效，成本较低。
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公开(公告)号：CN118534383A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410631120.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01R33/00 , H02K11/215 , G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件、磁传感器及其制备方法以及电机，该磁阻元件通过在每一磁阻结构设计两种延伸方向不同的第一磁阻条以及第二磁阻条，使之呈目标夹角设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与当前磁阻结构的第二磁阻条呈第一相位差设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与另一磁阻结构的第二磁阻条呈第二相位差设置；第一相位差与第二相位差具有倍数关系，以消除高次谐波，从而使得磁阻元件输出的高次谐波信号的有效值为零，从而实现消除高次谐波的目的。
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公开(公告)号：CN117604360A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311700564.1
申请日：2023-12-11
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种FeCoCr磁码盘材料及其制备方法和应用。本发明通过在FeCoCr薄膜层表面引入MgO层，通过控制MgO层中氧元素在FeCoCr薄膜层界面的迁移，可以对FeCrCo薄膜层的矫顽力和剩磁进行有效地调控，晶粒的大幅细化和FeCrCo界面处较高α相的形成；本发明在FeCoCr薄膜层表面引入MgO层后，FeCoCr磁码盘材料的矫顽力由348Oe提升至397～439Oe，剩磁由3507Oe提升至6534～8721Oe，剩磁比由0.71提升至0.76～0.77，提升了磁码盘材料的矫顽力，并且获得了很高的剩磁，磁码盘材料达到了磁编码器码盘的实际应用需求。
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公开(公告)号：CN117393357A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311290713.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种磁码盘薄膜及其制备方法、磁编码器。本发明的磁码盘薄膜，包括位于衬底表面的[SrFe12O19膜/Co膜]n多周期铁氧体薄膜，代替常规铁氧体块体，在纳米尺度范围内，薄膜的磁畴非常均匀，在进行信号的写入时可以写入更高的密度；相比传统的SrFe12O19膜，本发明的磁码盘薄膜，引入Co膜作为周期性的插层，可以大幅提升薄膜的剩磁(剩磁由引入Co膜层前的约2500Oe，提升为引入Co膜插层后的约3700Oe；饱和磁化强度由引入Co膜层前的约3000Oe，提升为引入Co膜插层后的约5200Oe)，有利于后续写入NS磁信号后，磁码盘表磁强度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117080087A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311326315.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/31
Abstract: 本申请涉及扇出型板级封装技术领域，具体提供了一种扇出型板级封装方法及扇出型板级封装结构，该封装方法包括以下步骤：在载板上设置临时键合胶和功能层；对功能层进行曝光和显影，以形成至少一个凸柱组和去除凸柱组以外的所有功能层；将芯片的有源面朝下贴附在芯片放置区域内的临时键合胶上；对凸柱组和芯片进行塑封；对塑封体远离载板的一侧进行研磨减薄，以露出凸柱组；去除凸柱组，以在塑封体上形成通孔组；向通孔组内填充导电材料，以形成导电导热柱组；去除载板和临时键合胶；在塑封体上形成电连接结构；该封装方法能够有效地解决由于需要通过物理开孔的方式在塑封体上逐一形成通孔而导致开孔效率低和开孔步骤繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN117079923A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311045599.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域。本发明提供了一种垂直磁性多层膜及其制备方法、磁随机存储器。本发明的垂直磁性多层膜，铁磁金属层的材料为FeCx，即在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性；本发明的垂直磁性多层膜的制备方法，在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性。因此具有制备简单、控制方便的特点；而且，此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来磁存储技术中。
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公开(公告)号：CN115101284B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN114755945A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210258819.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及编码器技术领域，公开了一种磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法。该系统包括：磁传感器芯片、运算放大电路、STM32单片机、稳压模块、FPGA芯片；运算放大电路分别与磁传感器芯片、STM32单片机信号连接；稳压模块分别与STM32单片机、FPGA芯片信号连接；FPGA芯片用于接收稳压模块输出的脉冲信号，并记录相邻两个脉冲信号的时间间隔记作当前的时钟周期；对时钟周期进行倍频处理，得到倍频周期；基于倍频周期进行脉冲输出，得到倍频后的脉冲信号。本发明倍频处理系统结构简单，各部件相互独立，方便维护和复用，使用FPGA芯片对脉冲进行倍频处理，显著提高了输出脉冲的频率，满足高精度细分产品的使用需求。
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公开(公告)号：CN113046709B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110205965.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
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