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公开(公告)号：CN115101284B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN115101284A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202211026675.4
申请日：2022-08-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性多层膜及其制备方法和应用。本发明的磁性多层膜，包括基底以及在基底依次层叠设置的N掺杂的Ta层、第一Ta层、CoFeB层、MgO层和第二Ta层；本发明的磁性多层膜的制备方法，通过溅射Ta的同时通入氮气引入氮离子，通过反应溅射方式在基底上生成N掺杂的Ta层，从而制造出较高的原子晶格空位浓度，产生结构缺陷，使得N掺杂的Ta层中的N固定底层的Ta一定程度起到扩散阻挡层的作用，大大减少Ta的扩散破坏界面处的Fe‑O键合，因而使得磁性多层膜呈现出垂直磁各向异性(PMA)；本发明的磁性多层膜的制备方法，可以低成本实现对薄膜垂直磁各向异性的调控，且具有制备简单高效、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN115424808A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211135793.9
申请日：2022-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于材料领域，具体涉及一种磁性材料薄膜功能层、其制备方法及包含其的磁性薄膜，磁性材料薄膜功能层包括：磁性材料层以及氧化材料层，所述氧化材料层与所述磁性材料层沿上下方向层叠设置；其中，所述磁性材料层含有Co、Fe、B和N，所述氧化材料层的材料含有氧化物。本发明中，通过将含有Co、Fe、B和N的磁性材料层与氧化材料层组合后，形成界面，以此，提高了磁性薄膜的垂直磁各向异性。通过N的掺入，能有效的调整有效调控铁磁元素和氧之间的轨道杂化作用，进而可以提升垂直磁各向异性。
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