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公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN113046709A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110205965.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
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公开(公告)号：CN117079923A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311045599.6
申请日：2023-08-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域。本发明提供了一种垂直磁性多层膜及其制备方法、磁随机存储器。本发明的垂直磁性多层膜，铁磁金属层的材料为FeCx，即在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性；本发明的垂直磁性多层膜的制备方法，在制备Fe薄膜的过程中，插入适当碳原子，就能够同时获得高垂直磁各向异性的磁性薄膜，并且提高其热稳定性。因此具有制备简单、控制方便的特点；而且，此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低等优点，适合应用于未来磁存储技术中。
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公开(公告)号：CN113046709B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110205965.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法，该钴基多层膜包括：基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法，其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象，诱发其界面结构的改变，无需后续的真空退火处理，通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构，得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态，使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态，增加了调节的范围和可控性，从而引起Co基多层膜磁性能的改变。
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公开(公告)号：CN113421733A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114639775B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210541609.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN114639775A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210541609.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了超低1/f噪声的各向异性磁电阻传感器及其制备方法，属于磁传感技术领域，所述传感器的薄膜材料为多层复合结构，从下至上依次包括Ta缓冲层、MgO层、NiFe层、MgO层和Ta保护层，所述多层复合结构以云母片作为基底采用磁控溅射法制备得到，其中，所述Ta缓冲层直接磁控溅射于云母片基底上；云母片基底为可弯曲的柔性基底，通过控制云母片基底的曲率半径从而控制施加在所述多层复合结构上的压应力，进而降低所述传感器的1/f噪声。本发明采用柔性云母片作为基底，制备出了具有超低1/f噪声的AMR磁传感器，能够满足市场对高性能AMR传感器的应用需求。
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公开(公告)号：CN113265591B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110538497.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的Fe‑Cr‑Al合金钢板，包括如下成分和重量百分比含量的物质：C:0.00～0.012％、Nb:0.10～0.40％、Cr:10.00～16.00％、Al:4.01～9.00％、Cu:0.20‑0.49％、B:0.003～0.015％、Ti:0.09～0.12％、S:≤0.005％、P:≤0.005％、其余为Fe，本申请采用Cr、Al、Nb、Cu、Ti间耐蚀作用相互关联性，尤其是Al‑Cr复合钝化作用，使得材料具有优异的抗氯离子腐蚀能力。另外，本申请还提供了一种所述的Fe‑Cr‑Al合金钢板的制备方法。
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公开(公告)号：CN113265591A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110538497.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的Fe‑Cr‑Al合金钢板，包括如下成分和重量百分比含量的物质：C:0.00～0.012％、Nb:0.10～0.40％、Cr:10.00～16.00％、Al:4.01～9.00％、Cu:0.20‑0.49％、B:0.003～0.015％、Ti:0.09～0.12％、S:≤0.005％、P:≤0.005％、其余为Fe，本申请采用Cr、Al、Nb、Cu、Ti间耐蚀作用相互关联性，尤其是Al‑Cr复合钝化作用，使得材料具有优异的抗氯离子腐蚀能力。另外，本申请还提供了一种所述的Fe‑Cr‑Al合金钢板的制备方法。
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公开(公告)号：CN117038243A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311129090.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种铁铬钴永磁合金及其制备方法，属于合金材料技术领域，以质量百分比计，所述铁铬钴永磁合金包括：54.0％‑59.0％的Fe、25.0％‑27.0％的Cr、14.0％‑16.0％的Co、0.8％‑1.0％的Si、1.0％‑2.0％的V和0.02％‑0.03％的N。本发明通过在铁铬钴合金中形成VN颗粒，实现了使合金材料兼具磁性能和加工性能的技术效果。
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