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公开(公告)号：CN117881268A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311737758.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明实施例涉及磁感应器技术领域，公开了一种磁阻元件以及各向异性磁电阻薄膜传感器，该磁阻元件包括第一平衡组以及第二平衡组，第一平衡组具有N个平行设置的第一磁阻条，第二平衡组具有N个平行设置的第二磁阻条，所述第一磁阻条之间均间隔两个所述第二磁阻条设置，且相邻的任意两个磁阻条之间的距离相等，相邻的所述第一磁阻条与所述第二磁阻条以并联或串联方式进行电连接，以减小所述第一平衡组和所述第二平衡组之间的电阻误差。从而解决现有技术中各向异性磁电阻薄膜传感器的制作工艺导致的电阻误差。
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公开(公告)号：CN113421733B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN114279481A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111417615.0
申请日：2021-11-25
Applicant: 季华实验室
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明涉及编码器测试技术领域，公开了一种编码器转速波动性测试系统及方法。该系统包括：伺服驱动器、伺服电机、待测编码器、差分转单端模块、数据采集卡、测试装置；所述待测编码器安装在所述伺服电机上；所述待测编码器与所述差分转单端模块信号连接；所述数据采集卡分别与所述差分转单端模块、所述测试装置信号连接；所述测试装置用于基于所述待测编码器产生的脉冲信号，对所述待测编码器进行转速波动性测试。本发明提供的编码器转速波动性测试系统，结构简单、操作方便，显著降低了编码器转速波动性测试的成本。
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公开(公告)号：CN114279472A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111662880.5
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于增量式磁电编码器的信号处理方法及电路，涉及磁电编码器技术领域，使用基于各向异性磁电阻(Anisotropic magnetoresistance，AMR)技术的角位移传感器，使用IC‑TW28芯片来提高增量式磁电编码器的测量分辨率和输出精度。本发明有益效果：设计简单，使用的元器件较少，可实现编码器的高动态、高精度编码，同时，可消除外界杂散磁场及装配误差对采集精度的影响，同时可消除外界杂散磁场及装配误差对采集精度的影响，能够提高增量式磁电编码器的普遍适用性。
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公开(公告)号：CN118534383A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410631120.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01R33/00 , H02K11/215 , G01R33/09
Abstract: 本发明涉及磁传感器技术领域，公开了一种磁阻元件、磁传感器及其制备方法以及电机，该磁阻元件通过在每一磁阻结构设计两种延伸方向不同的第一磁阻条以及第二磁阻条，使之呈目标夹角设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与当前磁阻结构的第二磁阻条呈第一相位差设置，任一磁阻结构的第一磁阻条与另一磁阻结构的第二磁阻条呈第二相位差设置；第一相位差与第二相位差具有倍数关系，以消除高次谐波，从而使得磁阻元件输出的高次谐波信号的有效值为零，从而实现消除高次谐波的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114755945A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210258819.2
申请日：2022-03-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及编码器技术领域，公开了一种磁编码器倍频处理系统及倍频处理方法。该系统包括：磁传感器芯片、运算放大电路、STM32单片机、稳压模块、FPGA芯片；运算放大电路分别与磁传感器芯片、STM32单片机信号连接；稳压模块分别与STM32单片机、FPGA芯片信号连接；FPGA芯片用于接收稳压模块输出的脉冲信号，并记录相邻两个脉冲信号的时间间隔记作当前的时钟周期；对时钟周期进行倍频处理，得到倍频周期；基于倍频周期进行脉冲输出，得到倍频后的脉冲信号。本发明倍频处理系统结构简单，各部件相互独立，方便维护和复用，使用FPGA芯片对脉冲进行倍频处理，显著提高了输出脉冲的频率，满足高精度细分产品的使用需求。
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公开(公告)号：CN113421733A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110659746.3
申请日：2021-06-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN117269861A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311143671.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及一种磁传感器芯片及制备方法。该磁传感器芯片包括：芯片板、若干间隔设置的磁阻元件、金属电极单元，磁阻元件包括磁阻层及金属层。其中，将若干厚度相同宽度不同的磁阻条，按照由细至宽的方式依次串联；磁阻条串联为层叠结构布置，且同一层为一种粗细的磁阻条，如此，则形成了由细至粗的多层磁阻条。使用本申请的芯片时，磁阻条的细端与磁栅尺或磁码盘相对设置，由于磁阻条是按照细至粗布置，距离磁栅尺或磁码盘越远的磁阻条越宽，使得磁阻条在较弱的磁场下也可完全磁化反转，输出较大的信号值，从而有效提升磁传感器芯片的输出性能。
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公开(公告)号：CN115568274A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211268100.3
申请日：2022-10-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺。本发明的磁阻元件，两端磁阻条长度较小、中间磁阻条长度较大，根据磁阻条的长宽比与退磁场的规律，磁阻条厚度一定时，长宽比越大，退磁场越大，即当磁阻条厚度与宽度一定时，长度越大，退磁场越大，因此，本发明的磁阻元件结构中两端磁阻条较短，中间磁阻条较长的类椭圆设计，可以有效改善AMR元件中沿宽度方向退磁场分布不均匀的问题；将本发明的磁阻元件应用于AMR磁阻传感器中，可使AMR磁阻传感器输出特性曲线的饱和场变小，从而提高磁阻传感器的输出信号。
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公开(公告)号：CN113416935B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110642910.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，属于发光材料制备及应用技术领域，包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后，将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下，利用磁控多靶共溅射法，将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后，原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中，退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到，工艺简单，可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本，使效率最大化，适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本，有利于工业化生产。
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