一种钴基多层膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113046709A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110205965.4

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法,该钴基多层膜包括:基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法,其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象,诱发其界面结构的改变,无需后续的真空退火处理,通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构,得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态,使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态,增加了调节的范围和可控性,从而引起Co基多层膜磁性能的改变。

    一种钴基多层膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113046709B

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202110205965.4

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明提供了一种钴基多层膜及其制备方法,该钴基多层膜包括:基底以及依次位于基底一侧面的第一覆盖层、氮掺杂钨层、Co基软磁层以及第二覆盖层。本发明还提供了该钴基多层膜的制备方法,其通过选择氮原子作为与铁磁金属产生轨道杂化对象,诱发其界面结构的改变,无需后续的真空退火处理,通过界面处的Co‑N轨道杂化工程来调节铁磁金属界面处的轨道结构,得到有益的、适度的Co‑N轨道杂化状态,使得界面处呈现不同程度的处轨道杂化状态,增加了调节的范围和可控性,从而引起Co基多层膜磁性能的改变。

    一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113416935B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110642910.X

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,属于发光材料制备及应用技术领域,包括如下步骤:S1.清洁并干燥基片后,将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内;S2.室温下,利用磁控多靶共溅射法,将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜;S3.共溅射结束后,原位溅射生长一层Al膜作为保护层;S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中,退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到,工艺简单,可操作性更强;能够最大限度地节约时间成本,使效率最大化,适用于大批量生产;无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏;降低了设备成本,有利于工业化生产。

    一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113416935A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110642910.X

    申请日:2021-06-09

    Abstract: 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,属于发光材料制备及应用技术领域,包括如下步骤:S1.清洁并干燥基片后,将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内;S2.室温下,利用磁控多靶共溅射法,将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜;S3.共溅射结束后,原位溅射生长一层Al膜作为保护层;S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中,退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法,仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到,工艺简单,可操作性更强;能够最大限度地节约时间成本,使效率最大化,适用于大批量生产;无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏;降低了设备成本,有利于工业化生产。

    铁铬钴永磁合金及其制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117038243A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311129090.X

    申请日:2023-09-01

    Abstract: 本发明公开了一种铁铬钴永磁合金及其制备方法,属于合金材料技术领域,以质量百分比计,所述铁铬钴永磁合金包括:54.0%‑59.0%的Fe、25.0%‑27.0%的Cr、14.0%‑16.0%的Co、0.8%‑1.0%的Si、1.0%‑2.0%的V和0.02%‑0.03%的N。本发明通过在铁铬钴合金中形成VN颗粒,实现了使合金材料兼具磁性能和加工性能的技术效果。

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