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公开(公告)号：CN116936470B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311189724.0
申请日：2023-09-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/768 , B44B5/02 , B44B5/00
Abstract: 本申请属于集成电路制备技术领域，公开了一种循环印刷式集成电路制备方法，包括步骤：把待制备的芯片电路分解为多个子电路，记为实际子电路；根据所述实际子电路匹配出对应的标准子电路；选用与各所述标准子电路对应的标准压印滚轮，依次在半导体晶圆表面的介电层上滚压出对应各所述标准子电路的子电路凹槽，以组成所述待制备的芯片电路的整体电路凹槽；所述标准压印滚轮的周面上设置有与对应标准子电路匹配的微纳凸起；在所述整体电路凹槽中填充金属，得到芯片电路；从而能够降低芯片电路制备成本并提高总体生产效率。
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公开(公告)号：CN115568274A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211268100.3
申请日：2022-10-17
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁阻元件、各向异性磁阻传感器及其制备方法和磁栅尺。本发明的磁阻元件，两端磁阻条长度较小、中间磁阻条长度较大，根据磁阻条的长宽比与退磁场的规律，磁阻条厚度一定时，长宽比越大，退磁场越大，即当磁阻条厚度与宽度一定时，长度越大，退磁场越大，因此，本发明的磁阻元件结构中两端磁阻条较短，中间磁阻条较长的类椭圆设计，可以有效改善AMR元件中沿宽度方向退磁场分布不均匀的问题；将本发明的磁阻元件应用于AMR磁阻传感器中，可使AMR磁阻传感器输出特性曲线的饱和场变小，从而提高磁阻传感器的输出信号。
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公开(公告)号：CN115424808A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211135793.9
申请日：2022-09-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于材料领域，具体涉及一种磁性材料薄膜功能层、其制备方法及包含其的磁性薄膜，磁性材料薄膜功能层包括：磁性材料层以及氧化材料层，所述氧化材料层与所述磁性材料层沿上下方向层叠设置；其中，所述磁性材料层含有Co、Fe、B和N，所述氧化材料层的材料含有氧化物。本发明中，通过将含有Co、Fe、B和N的磁性材料层与氧化材料层组合后，形成界面，以此，提高了磁性薄膜的垂直磁各向异性。通过N的掺入，能有效的调整有效调控铁磁元素和氧之间的轨道杂化作用，进而可以提升垂直磁各向异性。
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公开(公告)号：CN115157135A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210641215.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及工业工程技术领域，公开了一种快速装夹装置。快速装夹装置包括底座、安装结构、转动结构、第一复位弹性件和多个夹紧件，安装结构设置于底座上，安装结构对应设有多个径向滑槽；转动结构转动设置于安装结构上，位于安装结构和底座之间，转动结构对应多个径向滑槽设有多个偏心滑槽，偏心滑槽与径向滑槽在同一投影面上呈预设夹角设置；第一复位弹性件的一端设置于安装结构上，另一端设置于转动结构上；各夹紧件分别穿过径向滑槽并对应滑动设置于偏心滑槽上；在装夹工件时，转动转动结构带动夹紧件做径向远离圆心运动，松开转动结构，第一复位弹性件复位，带动夹紧件做径向靠近圆心运动快速将工件夹紧。装夹时间短、效率和通用性高。
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公开(公告)号：CN113416935B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110642910.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，属于发光材料制备及应用技术领域，包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后，将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下，利用磁控多靶共溅射法，将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后，原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中，退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到，工艺简单，可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本，使效率最大化，适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本，有利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113265591B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110538497.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的Fe‑Cr‑Al合金钢板，包括如下成分和重量百分比含量的物质：C:0.00～0.012％、Nb:0.10～0.40％、Cr:10.00～16.00％、Al:4.01～9.00％、Cu:0.20‑0.49％、B:0.003～0.015％、Ti:0.09～0.12％、S:≤0.005％、P:≤0.005％、其余为Fe，本申请采用Cr、Al、Nb、Cu、Ti间耐蚀作用相互关联性，尤其是Al‑Cr复合钝化作用，使得材料具有优异的抗氯离子腐蚀能力。另外，本申请还提供了一种所述的Fe‑Cr‑Al合金钢板的制备方法。
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公开(公告)号：CN114337656A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111622438.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种基于锁相环算法的正余弦编码器细分方法及系统，涉及信号处理技术领域，使用单片机芯片ADC模拟数字转换器模块读取编码器传感器芯片传回的正余弦信号，将正余弦信号输入锁相环PLL算法模块，算出正余弦信号中的角度信息。本发明有益效果：计算时间短，细分得到的脉冲信号噪声小且脉宽稳定均匀。
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公开(公告)号：CN113416935A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110642910.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，属于发光材料制备及应用技术领域，包括如下步骤：S1.清洁并干燥基片后，将其置于磁控溅射镀膜仪的真空腔内；S2.室温下，利用磁控多靶共溅射法，将Mn源、Bi源和Te源共溅射在所述基片上制备非晶态的薄膜；S3.共溅射结束后，原位溅射生长一层Al膜作为保护层；S4.将所述非晶态的薄膜移入真空退火炉中，退火保温一段时间后制得。本发明的磁性本征拓扑绝缘体MnBi2Te4薄膜的制备方法，仅需在目标温度下进行一轮退火便可得到，工艺简单，可操作性更强；能够最大限度地节约时间成本，使效率最大化，适用于大批量生产；无需进行任何人工转移操作可避免污染、损坏；降低了设备成本，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113265591A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110538497.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供的Fe‑Cr‑Al合金钢板，包括如下成分和重量百分比含量的物质：C:0.00～0.012％、Nb:0.10～0.40％、Cr:10.00～16.00％、Al:4.01～9.00％、Cu:0.20‑0.49％、B:0.003～0.015％、Ti:0.09～0.12％、S:≤0.005％、P:≤0.005％、其余为Fe，本申请采用Cr、Al、Nb、Cu、Ti间耐蚀作用相互关联性，尤其是Al‑Cr复合钝化作用，使得材料具有优异的抗氯离子腐蚀能力。另外，本申请还提供了一种所述的Fe‑Cr‑Al合金钢板的制备方法。
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公开(公告)号：CN118888255A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411394036.2
申请日：2024-10-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种CoFeB基磁性多层膜及其制备方法。本发明通过引入TiC层，TiC层可以有效地抑制Ta的扩散，使得Ta/CoFeB界面更加的平整，有利于获得垂直磁各向异性；TiC层可以有效在多层膜中引入C原子，引入C原子可以有效调控Fe和O之间的轨道杂化作用，进而可以有效通过C、O双离子的双层作用协同驱动多层膜的磁各向异性由面内向面外转化，即使得磁性多层膜获得垂直磁各向异性；本发明通过C、O双离子调控作用，增加材料调控的自由度，提高性能调控的幅度，从多角度出发，大大提高对薄膜垂直磁各向异性的调控，并且进一步提升了CoFeB基磁性多层膜的热稳定性。
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