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公开(公告)号：CN118092855A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410142246.6
申请日：2024-02-01
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/498
Abstract: 本发明提供一种支持浮点数尾数乘法的存算一体乘法器，其至少包括译码阵列、存储器以及加法阵列，利用该乘法器进行乘法运算时，被乘数以部分积的形式配置在存储器内，乘数以特定位宽为单位划分成片段，以片段为单位串行地加载到译码阵列输入端，直到完成一个完整乘数的输入，译码阵列根据输入的乘数片段选通存储器中相应存储器行，存储器输出相应部分积，加法阵列基于部分积进行错位相加并输出乘法结果，与传统存算结构相比，该乘法器可大大减少部分积累加的次数，从而降低动态功耗，提高运算速度。
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公开(公告)号：CN110427171B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910734087.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本发明提供一种基于存储单元的、可扩展的、用于定点数矩阵乘加运算的存内计算设备，其特征在于，包括：数据调度模块，用于将输入的多比特定点数矩阵转换为多个单比特脉冲信号；运算阵列，由M行M列的存储单元构成；辅助运算模块，至少包括低比特模数转换模块、移位加法模块以及数字减法器；列译码器；以及控制模块，存储有配置信息，用于根据配置信息向数据调度模块、列译码器以及辅助运算模块发送配置信号从而适应不同位宽的数据运算。
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公开(公告)号：CN108874109A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710345081.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 复旦大学 , 中兴通讯股份有限公司
CPC classification number: G06F1/3287 , G06F9/5022
Abstract: 本发明提供了一种后台应用的清理方法及装置，其中，该方法包括：读取正在终端系统后台运行的全部应用，以及获取终端的剩余电量；根据预设规则解析全部应用中各个应用的优先级信息；根据剩余电量和优先级信息在全部应用中选择一个或多个应用进行清理。通过本发明，解决了相关技术中在节省电量消耗的同时损失用户体验的技术问题。
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公开(公告)号：CN103123806B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110369979.6
申请日：2011-11-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明属动态随机存取存储器技术领域，涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路，还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号。该动态随机存取存储器，其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路，其特征在于，所述存储阵列中还包括冗余单元，所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时，提高读操作速度。
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公开(公告)号：CN102081962B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910199380.5
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123806A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110369979.6
申请日：2011-11-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明属动态随机存取存储器技术领域，涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路，还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号。该动态随机存取存储器，其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路，其特征在于，所述存储阵列中还包括冗余单元，所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时，提高读操作速度。
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公开(公告)号：CN101872647A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910050101.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C17/14
Abstract: 本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有2T2R的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代表存储状态“1”和“0”。该发明的一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器不容易受工艺偏差的影响，并具有读取速度快、读写容限高、不挥发的特点。
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公开(公告)号：CN101452740A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810207839.7
申请日：2008-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C8/10
Abstract: 一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以成功实现同时选中多条位线，对多条位线上的多个存储单元进行写或者激活(Forming)等操作，可以大大提高工作的效率，尤其适应于对电阻存储器的激活操作过程。
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公开(公告)号：CN111145115B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911324961.7
申请日：2019-12-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明提供一种基于场景适应的非均匀校正方法及其硬件实现装置，方法包括：采集原始红外图像，得像元数据，并统计帧数；初始化原始红外图像的校正参数，得到初始增益校正系数和初始偏置校正系数；进入初始校正模式，并确定当前校正模式，根据帧数逐帧进行非均匀校正，并判断是否更新初始增益校正系数和初始偏置校正系数，当判断为不进行更新时，得校正后的像元数据，当判断为进行更新时，得更新的校正参数及校正后的像元数据，校正后的像元数据即校正后的红外图像；缓存校正后的红外图像及更新的校正参数后存储至外部数据存储模块；装置包括：输入缓存模块、非均匀校正模块、偏移量累积计算模块、参数更新模块、输出缓存模块和外部数据存储模块。
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公开(公告)号：CN109495272B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811289819.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，具体为一种基于忆阻器的强物理不克隆函数（PUF）电路。本发明的PUF电路包括：非挥发存储阵列和2T2R基本单元，用于产生行选信号和列选信号的行地址生成模块、列地址生成模块、比较地址生成模块，负责地址译码的PUF列选择器、PUF行译码器、比较电流列选择模块，用于产生读、写、比较信号的读、置位模块和比较、复位模块，以及用于读出电路的读电路模块，用于暂时储存结果的Mbit寄存器&计数器模块，和提高抗建模攻击的多重异或模块。本发明还提出了一套提高忆阻器强PUF面积利用率和随机性的操作流程。本发明提出的忆阻器强PUF电路拥有面积利用率高，可配置和重复利用的特征，具有优异的随机性和抗建模攻击能力。
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