公开(公告)号：CN109495272B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201811289819.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  刘芯见 ,  孙超 ,  闫石林

IPC: H04L9/32 ,  G06F21/72

Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，具体为一种基于忆阻器的强物理不克隆函数（PUF）电路。本发明的PUF电路包括：非挥发存储阵列和2T2R基本单元，用于产生行选信号和列选信号的行地址生成模块、列地址生成模块、比较地址生成模块，负责地址译码的PUF列选择器、PUF行译码器、比较电流列选择模块，用于产生读、写、比较信号的读、置位模块和比较、复位模块，以及用于读出电路的读电路模块，用于暂时储存结果的Mbit寄存器&计数器模块，和提高抗建模攻击的多重异或模块。本发明还提出了一套提高忆阻器强PUF面积利用率和随机性的操作流程。本发明提出的忆阻器强PUF电路拥有面积利用率高，可配置和重复利用的特征，具有优异的随机性和抗建模攻击能力。

公开(公告)号：CN109495272A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811289819.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  刘芯见 ,  孙超 ,  闫石林

IPC: H04L9/32 ,  G06F21/72

CPC classification number: H04L9/3278 ,  G06F21/72 ,  H04L2209/12

Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，具体为一种基于忆阻器的强物理不克隆函数（PUF）电路。本发明的PUF电路包括：非挥发存储阵列和2T2R基本单元，用于产生行选信号和列选信号的行地址生成模块、列地址生成模块、比较地址生成模块，负责地址译码的PUF列选择器、PUF行译码器、比较电流列选择模块，用于产生读、写、比较信号的读、置位模块和比较、复位模块，以及用于读出电路的读电路模块，用于暂时储存结果的Mbit寄存器&计数器模块，和提高抗建模攻击的多重异或模块。本发明还提出了一套提高忆阻器强PUF面积利用率和随机性的操作流程。本发明提出的忆阻器强PUF电路拥有面积利用率高，可配置和重复利用的特征，具有优异的随机性和抗建模攻击能力。