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公开(公告)号：CN118156295A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410381252.7
申请日：2024-04-01
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种含有N+阱区的混合集电极结构高温IGBT器件及其制造方法。该含有N+阱区的混合集电极结构高温IGBT器件，自下而上依次包括集电极，P+集电区，N+场阻止层，N‑漂移区，N型载流子存储层，P型基区；沟槽栅贯穿P型基区和N型载流子存储层；N+发射区形成在P型基区上部，位于沟槽栅的两侧，射极覆盖器件表面；其中，P+集电区下部的一端形成有N+阱区，N+阱区厚度小于P+集电区，其上方为薄层P+集电区，其下部与P+集电区平齐并外接集电极电位。
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公开(公告)号：CN115911183A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211627567.2
申请日：2022-12-16
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
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公开(公告)号：CN113363317B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110628051.9
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种负量子电容器件及其制备方法。该负量子电容器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；高K介质层/石墨烯层/高K介质层叠层，形成在所述埋栅上，其中，石墨烯层封装在两层高K介质层之间，位于所述埋栅上方，其长度与所述埋栅长度相当，小于所述高K介质层的长度；二维材料层，形成在所述高K介质层上作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维材料层两侧，并部分覆盖所述二维材料层，且与埋栅无重叠。石墨烯层提供负量子电容，使器件内部总电容放大，能够有效降低亚阈值摆幅，提高器件的开关速度。
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公开(公告)号：CN113363384B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110628047.2
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种HfO2基铁电隧道结器件及其制备方法。HfO2基铁电隧道结器件包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；ZrO2/HZO/Al2O3/HZO/ZrO2叠层结构，其具有对称冠状能带；顶电极，形成在所述叠层结构上。通过引入Al2O3中间层，有效控制了HZO薄膜的晶粒尺寸，提高了HZO薄膜的质量。此外，ZrO2薄膜可以诱导HZO薄膜产生更多的铁电相。以此叠层结构制备铁电隧道结器件能有效提高可靠性，隧穿电阻以及耐受性，能够满足至少104次的读写操作。
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公开(公告)号：CN113363316A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628040.0
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法。该二维负量子电容晶体管器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第三代拓扑绝缘体层，形成在所述埋栅上，长度与所述埋栅相当；高K介质层，覆盖所述第三代拓扑绝缘体层；二维沟道层，形成在所述高K介质层上，且与所述第三代拓扑绝缘体层有共同区域；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，所述拓扑绝缘体层提供负量子电容，从而使栅极总电容增大，降低亚阈值摆幅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118631200A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410661160.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H3/02 , H10N30/072 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法。包括以下步骤：在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层，将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合；退火使多孔气泡层断裂，从LiTaO3晶圆剥离，在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜；对LiTaO3薄膜进行减薄处理；将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合；利用激光解键合技术，将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底；在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层；在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层；将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合；使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离，去除LiTaO3薄膜表面的Si层，使得LiTaO3薄膜/下电极/布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底；在LiTaO3薄膜上形成上电极。
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公开(公告)号：CN116390491A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310437241.1
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B43/30
Abstract: 本发明公开一种基于氧化物二维电子气的非易失性存储器及其制备方法。该基于氧化物二维电子气的非易失性存储器包括：Si衬底；底层氧化物薄膜，形成在所述Si衬底上；栅介质叠层，自下而上依次包括隧穿氧化层，电荷俘获层和阻挡氧化层，形成在所述底层氧化物薄膜上，其中，隧穿氧化层与底层氧化物薄膜界面处形成有二维电子气沟道；栅电极，形成在所述栅介质叠层上；源/漏电极，分别形成在栅电极两侧，与栅介质叠层侧壁相接触。有效提高了存储器件的存储窗口和擦写速度，同时提高了器件的保持性和耐久性。
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公开(公告)号：CN113437049B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110683895.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/64 , H01L27/11507 , H01L21/02 , C23C16/40
Abstract: 本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
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公开(公告)号：CN113707606A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111078992.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H03K19/0944 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开一种基于晶圆级二维材料的反相器、制备方法及逻辑电路。采用原子层沉积法生长大面积且电学性能优异的二维材料薄膜，以此作为沟道，采用两个晶体管直接耦合的结构设计了反相器，并构建了NAND，NOR，AND，OR等逻辑电路。以上逻辑电路均能实现准确的布尔逻辑运算，其中反相器的电压增益在驱动电压为4V时可达到4以上，并能实现50Hz的翻转响应频率。
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公开(公告)号：CN113346018A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110628044.9
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种HfO2基铁电隧道结神经突触器件及其制备方法。该HfO2基铁电隧道结神经突触器件包括：衬底，同时作为底部电极；铁电叠层，形成在所述衬底上，包括氧化锆种子层，HZO薄膜以及氧化铝覆盖层；顶部电极阵列，形成在所述铁电叠层上，以所述顶部电极阵列作为人工神经网络的突触前膜，所述底部电极作为人工神经网络的突触后膜，通过对所述顶部电极阵列和所述底部电极施加电学刺激，实现人工神经网络的放电时间依赖可塑性：当顶部电极受到的刺激早于底部电极，出现突触的长时程增强，反之，则出现突触的长时程抑制。通过优化铁电叠层的结构，引入氧化锆种子层和氧化铝覆盖层显著提高了器件的存储特性，并实现了神经突触的学习与记忆功能。
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