公开(公告)号：CN116469927A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310437248.3

申请日：2023-04-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  王常昊 ,  孙清清

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种部分埋入式载流子存储层结构IGBT器件及其制备方法。该器件自下而上依次包括集电极，集电区，场阻止层，漂移区，基区，高掺杂的载流子存储层形成在基区中，沟槽栅贯穿基区和载流子存储层，发射区形成在基区上部，位于沟槽栅的两侧，发射极覆盖器件表面。

公开(公告)号：CN119170627A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411294364.5

申请日：2024-09-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 崔文荣 ,  王常昊 ,  徐航 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种含有N+阱区和隧穿结的高工作温度IGBT器件及其制备方法。该IGBT器件自下而上依次包括集电极，含有N+阱区的P+集电区，N+掺杂的隧穿层，N型场阻止层，N型漂移区，N型载流子存储层，P型基区；沟槽栅贯穿P型基区和N型载流子存储层，N+发射区形成在P型基区上部、位于沟槽栅的两侧，发射极覆盖器件表面；其中，含有N+阱区的P+集电区中，N+阱区的厚度小于P+集电区，其下部与P+集电区平齐并外接集电极电位，其上方为薄层P+集电区；N+掺杂的隧穿层与P+集电区组成隧穿结。N+阱混合集电极结构和重掺杂隧穿结集电极结构协同降低IGBT的器件漏电流，从而提高工作温度。

公开(公告)号：CN118156295A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410381252.7

申请日：2024-04-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王常昊 ,  徐航 ,  朱颢 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种含有N+阱区的混合集电极结构高温IGBT器件及其制造方法。该含有N+阱区的混合集电极结构高温IGBT器件，自下而上依次包括集电极，P+集电区，N+场阻止层，N‑漂移区，N型载流子存储层，P型基区；沟槽栅贯穿P型基区和N型载流子存储层；N+发射区形成在P型基区上部，位于沟槽栅的两侧，射极覆盖器件表面；其中，P+集电区下部的一端形成有N+阱区，N+阱区厚度小于P+集电区，其上方为薄层P+集电区，其下部与P+集电区平齐并外接集电极电位。