公开(公告)号：CN113437049A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110683895.3

申请日：2021-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  陈佩瑶 ,  刘逸伦 ,  曹园园 ,  孙清清

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。

公开(公告)号：CN113437049B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202110683895.3

申请日：2021-06-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  陈佩瑶 ,  刘逸伦 ,  曹园园 ,  孙清清

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/11507 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。