-
公开(公告)号：CN102604542A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210038521.7
申请日：2012-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于铜互连中以金属钌作为粘附阻挡层的抛光工艺的抛光液。该抛光液组分原料按重量百分数计为：抑制剂0.001%~10%，氧化剂0.1%~10%，研磨颗粒1%~25%，表面活性剂0.001~5%，余量为水；上述原料混合后，通过pH值调节剂调节pH值至8.5~9.5；该抑制剂选自同时含有一个或多个氨基和羧基的有机酸，氧化剂选自过氧化氢、过硫酸铵、高碘酸钾、溴酸钾、过硼酸盐硝酸铈铵等；研磨颗粒选自SiO2水溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶等；本发明的抛光液呈弱碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；可以1:1的抛光选择比对钌（Ru）与铜（Cu）进行抛光，抛光后平整性好。
-
公开(公告)号：CN102520020A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411223.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法。本发明在固定偏压、扫描频率时提取各频率下对应的寄生电阻和电容并对测试结果进行修正，具体步骤如下：把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；再把MOSCAP偏置在耗尽区，以一致的频率扫描设置进行测试；用前者得到的各频率下的寄生参数修正后者对应频率下的测试数据；最后计算电导法对界面态的表征结果。本发明在TiN/HfO2/GeON/p-Ge电容结构上进行了实际验证。
-
公开(公告)号：CN102516875A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110372757.X
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23F1/28 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。
-
公开(公告)号：CN102403231A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110373071.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种使用纳米压印和接触式光刻制作硅纳米线晶体管的方法。其步骤包括：在原始SOI模板上用纳米压印结合定向淀积的方法制作宽度小于100纳米的镍线条阵列，作为硅纳米线的刻蚀掩蔽层，再次使用纳米压印，定义与先前的镍线条阵列垂直相交的100纳米级线宽的线条阵列，并结合干法刻蚀法制作出纳米线晶体管的沟道区，并在刻蚀出的硅纳米线上生长栅氧，然后自对准地形成多晶硅栅，最后使用接触式光刻定义源漏区域并淀积形成金属电极。本发明所需的图形化工艺条件简单，仅需要十微米级精度的接触式光刻机，以及简单的压印工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出顶栅硅纳米线场效应晶体管。
-
公开(公告)号：CN101135842B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227014A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110075293.6
申请日：2011-03-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。
-
公开(公告)号：CN102214791A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110150827.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于PEDOT：PSS材料的有机动态随机存储器及其制备方法。本发明通过在衬底材料上依次淀积底电极Au、介质层PEDOT：PSS以及顶电极Au，形成结构为Au/PEDOT:PSS/Au的存储器器件。由于PEDOT：PSS在不同偏压下会表现出高阻性的还原态和低阻性的氧化态，且具有断电自动恢复到氧化态的特性，故可以将这种结构投入到易失性的有机动态随机存储器的应用当中。
-
公开(公告)号：CN102087967A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910200008.1
申请日：2009-12-04
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238
Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法。本发明在已形成栅介质的材料上用正胶进行光刻，形成一定面积的图形，再把淀积一定厚度的TiNx做栅极后，在TiNx薄膜上再淀积一定厚度的Al或直接用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅。所有的薄膜做完后再对材料进行liftoff处理，最终形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后对材料进行不同时间以及不同温度的快速热退火，在热的作用下，Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构将发生一定变化，使栅极的功函数发生相应变化。本发明通过铝的引入从而实现TiNx金属栅功函数的有效调节，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。
-
公开(公告)号：CN100503880C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710037907.5
申请日：2007-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。
-
公开(公告)号：CN117801262A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211166697.0
申请日：2022-09-23
IPC: C08G69/26 , C25D3/12 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/46 , C25D3/48 , C25D3/52 , C25D3/56 , C25D3/58 , C25D3/60 , C25D3/62 , C25D3/64 , C25D7/00 , C25D17/00
Abstract: 本申请实施例提供一种整平剂，其包括聚酰胺类物质，聚酰胺类物质包括式(Ⅰ)所示的重复单元或式(I)所示重复单元的质子化或N‑季铵化产物，#imgabs0#式(I)中，R选自氢原子、取代或未取代的烷基，A1和A2独立地含有位于式(Ⅰ)所示的酰胺重复单元主链上的叔胺氮原子。该整平剂有利于实现对孔槽的无缺陷高平整度填充。本申请实施例还提供了该整平剂的制备方法及相关应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
54
records
(took 0.016 seconds)
