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公开(公告)号：CN118929564A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410897105.5
申请日：2024-07-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种同时自组装生长多功能微纳米阵列的方法。本发明包括：对衬底进行表面修饰形成修饰层；在修饰层上进行光刻形成光刻胶图案；通过刻蚀、去胶等工艺将光刻胶图案转移至修饰层，形成不同尺寸或同尺寸不同表面能的修饰层图案；在修饰层图案上进行相变材料的自组装生长，形成不同尺寸或含不同物质量的相变材料无定形态图案；进行退火处理，使物质量较大的无定形态图案转变为结晶态，而较少物质量的无定形态图案保持非晶态，实现多功能微纳米阵列。本发明具有工艺简单、成本低、可扩展性强等优势，可应用于高分辨率全彩成像/显示、光子晶体、信息存储、加密等领域。
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公开(公告)号：CN116961749A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310882270.9
申请日：2023-07-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116 , F21V33/00 , F21V23/00 , H05B47/175 , H05B45/00 , A42B3/04 , A42B3/30 , H04W4/02 , H04W64/00 , H04B3/54 , H04L67/52 , H04W72/566 , F21Y115/10 , F21W131/402 , F21W131/10
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为一种井下无线通信定位一体化系统。本发明将可见光通信和超宽带定位技术相结合，实现无线通信与定位一体化；系统包括照明设备、矿灯安全帽、电力线及耦合装置、地面服务器等设备；部署方案将照明设备间隔分布固定在井下巷道，根据不同巷道的净高度及矿灯照度布设不同高度、不同间距的照明设备，设备之间通过电力线连接，地面服务器经由电力线连接至最近的照明设备，并且借助从矿灯帽发射至照明设备的LiFi信号或UWB信号实现双向交互通信以及确定矿灯安全帽精确位置，有效地抵抗各种干扰，同时实现高精度定位和通信功能。
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公开(公告)号：CN113271542B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110379628.7
申请日：2021-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H04W4/021 , H04W4/33 , H04W4/80 , H04W64/00 , H04B10/116
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为一种基于蓝牙及可见光的室内移动终端定位方法。本发明融合蓝牙定位和可见光定位两种模式，在离线阶段分别构建基于蓝牙以及室内可见光信号接收强度的位置指纹库信息，在线阶段根据移动终端实时接收的待测点的蓝牙以及可见光信号接收强度信息，通过动态K值加权定位算法，分别对待测移动终端进行位置区间的确定，然后将两者定位结果加权取交集得到最终的定位结果。本发明采用动态K值加权算法，可避免由K值固定将距离较远的参考点选入而影响定位的精度；采用双模融合定位算法，可减少由环境变化带来的传播模型误差，增加定位系统鲁棒性。本发明可实现移动终端在室内低延迟及较为精确的定位，具有实际应用价值。
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公开(公告)号：CN109742197B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811576296.6
申请日：2018-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医用光源照明技术领域，具体为一种内窥镜micro‑LED光源及其制备方法。本发明使用尺寸较小的micro‑LED为光源，micro‑LED芯片形状根据内窥镜外壳形状设计；通过调整micro‑LED芯片阵列的间距以及micro‑LED单元数量对芯片充分散热；系统封装时，micro‑LED芯片紧贴内窥镜外壳，利用内窥镜外壳散热；micro‑LED的结构可以为正装、倒装和垂直等多种结构，白光光源的组成可以由红绿蓝等多种发光波长的micro‑LED芯片组成，也可以由蓝光micro‑LED芯片与荧光粉混合组成。本发明通过micro‑LED芯片和内窥镜系统的整体设计，降低了照明系统的自发热，使自发热导致的内窥镜照明系统的温度低于43摄氏度；光通量、显色指数等指标适合人体的需求以及国家标准的要求。
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公开(公告)号：CN110451564A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910705361.9
申请日：2019-08-01
Applicant: 复旦大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明属于二维半导体材料技术领域，具体为基于衬底硫化预处理的单层二硫化钼的制备方法。本发明以硅片作为生长衬底，在衬底经过清洗之后，将其置于石英试管中在含硫蒸气的环境下进行硫化处理，接着采用化学气相沉积的方法制备单层二硫化钼。本发明通过优化衬底硫化处理的温度、时间，制备出高质量的单层二硫化钼单晶及大面积连续薄膜。该方法过程简单，无需价格昂贵的硫化源及生长源。所制备的高质量单层二硫化钼可以用于制备具有更高荧光量子产率、更优异性能的特殊功能的光电子器件和微纳电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109325304A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811177495.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的计算方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+-i-n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础。
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公开(公告)号：CN107425909A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710349857.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H04B10/116 , F21V5/00 , F21V23/003 , F21V23/02 , F21V31/00 , H04B10/80 , H04B13/02
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，公开一种基于可见光激光光源的水下照明和通信系统。本发明使用发光波长在可见光波段的激光光源，激光光源由氮化镓或者砷化镓基半导体材料制备；激光光源由直流驱动电源驱动，并经过散热封装，发出的激光由光学元件散射后，可以用于水下照明；通过加入通信调制信号，与直流电源共同驱动激光器，激光光源则具备水下照明和通信的双重作用；为了实现通信用途，接收端使用光学元件作为接收天线，用光电探测器将接收到的光信号转换为电信号，并处理接收信号。本发明使用激光光源同时实现了水下照明和通信的用途，具有能源利用效率高、通信速率快、保密性高和时延短的优势。
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公开(公告)号：CN104881520B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510220301.X
申请日：2015-05-04
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。本发明方法物理概念清晰，易于计算，且计算精度高，为新型三栅FinFET器件的关键参数提取提供了一种有效的解决办法。
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公开(公告)号：CN107195734A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710349492.9
申请日：2017-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种高效率micro‑LED的制备方法。本发明使用氮化镓（GaN）基LED外延片制备高效率低功耗micro‑LED芯片，外延片衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或同质氮化镓衬底。制备步骤包括刻蚀micro‑LED台面、沉积和刻蚀绝缘层、沉积n型和p型电极、退火形成欧姆接触、沉积互连电极、衬底剥离、衬底转移和表面粗化。所制备的micro‑LED的尺寸范围从1微米到100微米，并形成密集阵列，适用于微显示、光通信、生物医学、高分辨显微镜成像和荧光寿命测试等领域。
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公开(公告)号：CN103413833B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310286047.4
申请日：2013-07-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于微电子及平板显示技术领域，具体为一种柔性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该柔性薄膜晶体管包括柔性基底、平坦层、隔绝缓冲层、栅极、栅极绝缘层、源极、漏极及半导体沟道层。n型和p型氧化锌半导体沟道层采用简单的无机溶液法制备，整个工艺温度控制在200℃以内。制作时在基底双面生长同样厚度的平坦层及隔绝缓冲层，并通过热退火的方式缓解工艺过程中的柔性衬底弯曲，提高后续的光刻对准精度。本发明可提高柔性TFT及后续器件的可操作性及稳定性，且制备工艺简单，生产成本较低。
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