公开(公告)号：CN101877311B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010213747.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晓荣 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb//TiN /栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb//TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN101877311A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010213747.7

申请日：2010-06-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晓荣 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种有效调制TiN金属栅功函数的方法。该方法包括在已经形成栅介质层的样品上进行光刻，形成图形，然后淀积TiN做金属性栅极，再在TiN薄膜上淀积Yb，最后在Yb上淀积TiN薄膜作覆盖层防止Yb被氧化；再对样品进行光刻胶剥离处理，最终形成具有一定图形的TiN/Yb/TiN/栅介质层/衬底Si结构样品，然后对样品进行快速热退火，在热的作用下，TiN/Yb/TiN叠层结构将发生一定变化，使得栅极的功函数发生相应变化。该方法通过Yb的引入实现TiN金属栅功函数的有效调制，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带底，同时又具有工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN102087967A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910200008.1

申请日：2009-12-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晓荣 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种有效调制TiNx金属栅功函数的方法。本发明在已形成栅介质的材料上用正胶进行光刻，形成一定面积的图形，再把淀积一定厚度的TiNx做栅极后，在TiNx薄膜上再淀积一定厚度的Al或直接用钛靶和铝靶在含氮气气氛下共溅射的方法获得AlxTiyN1-x-y合金化合物金属栅。所有的薄膜做完后再对材料进行liftoff处理，最终形成具有一定图形面积的Al/TiNx/栅介质层/衬底Si或者AlxTiyN1-x-y/栅介质层/衬底Si结构，然后对材料进行不同时间以及不同温度的快速热退火，在热的作用下，Al/TiNx叠层结构或者AlxTiyN1-x-y化合物薄膜结构将发生一定变化，使栅极的功函数发生相应变化。本发明通过铝的引入从而实现TiNx金属栅功函数的有效调节，使其对应的费米能级能够接近衬底硅的导带边，同时又具有工艺简单的优点。