公开(公告)号：CN114236814B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202111484279.1

申请日：2021-12-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童徐杰 ,  陈宜方

IPC: G02B27/00

Abstract: 本发明属于光学元件设计技术领域，具体为一种高效率聚焦的梯形Kinoform透镜的设计方法。本发明基于几何光学理论的薄光栅近似Kirz公式，统一了波带片与Kinoform透镜的设计理论，提出了一种有梯形形貌的Kinoform透镜。对透镜的形貌进行理论分析和建模，计算了梯形Kinoform透镜的理论聚焦效率。本发明方法证明了梯形Kinoform透镜结合相位型波带片和Kinoform透镜的优势，具有聚焦效率高、易于制备、结构轻便的优势，并得到实验的验证。本发明设计的透镜突破了传统平板透镜对于聚焦和成像效率的理论极限，为未来研发新型形貌的高效率聚焦的透镜提供了有效的指导。

公开(公告)号：CN110970147B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN201911082896.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  朱静远

IPC: G21K1/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于X射线成像技术领域，具体为一种高分辨率硬X射线钨/金菲涅尔波带片及其制备方法。本发明步骤包括：在氮化硅衬底上生长铬/金电镀种子层；在电镀种子层上生长金属钨；在衬底上旋涂PMMA正性光刻胶，烘烤固化；利用电子束光刻机进行曝光；进行显影，然后用IPA漂洗，获得光刻胶波带片结构；以光刻胶为掩膜，在上层进行纳米电镀金，得到上层金波带片；将上层金波带片放入反应离子刻蚀机中，以金波带片为掩模对金属钨进行刻蚀，将图形转移，得到钨/金菲涅尔波带片。该波带片具有大高宽比（大于20/1）的高分辨。本发明方法也可用于制备软X射线至硬X射线检测的菲尼尔波带片透镜；得到的纳米图形结构形貌可控；与现有半导体工艺相兼容。

公开(公告)号：CN112687531B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202011572185.5

申请日：2020-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  祝鸣赛

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种高电子迁移率晶体管源漏电极的制备方法。本发明制备方法采用角向蒸发自对准工艺，基本内容包括：基于T型栅生长工艺，利用高电子迁移率晶体管栅极独特的T型结构，通过角向蒸发的方式精确控制高电子迁移率晶体管器件源极与栅极距离和漏极与栅极的距离，从而使高电子迁移率晶体管器件的源、漏电极与T型栅的位置达到位置可控的自对准的目的，最终为器件性能的提高提供了一个新的可调节的几何参数自由度。本发明方法可以用于制备具有T型栅极结构的高电子迁移率晶体管器件，得到对称或非对称的源极与栅极间距和漏极与栅极间距，同时与现有半导体工艺兼容。

公开(公告)号：CN113281900A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110573912.8

申请日：2021-05-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 童徐杰 ,  陈宜方

IPC: G02B27/00 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明属于光学计算与仿真技术领域，具体为一种基于汉克尔变换与波束传播法的光学建模与计算方法。本发明以Matlab为平台进行光学元件的模型创建，包括设定光学元件的形貌、折射率以及入射光场的波长、振幅、波形。基于波束传播法以及准离散汉克尔变换计算该旋转对称光学元件的近场光场，并根据出射面光场用基于准离散汉克尔变换的衍射理论计算远场中任意位置的光场。该方法可以得到该光学元件调制的多种光学信息，包括远场和近场中任意位置的强度、相位信息，从而计算透过率、聚焦效率、焦深、焦斑大小等。该方法极大提高了光学仿真的精确度和计算效率，在大口径、短波长聚焦的光学元件设计和优化中能显著缩短研发周期，降低实验成本。

公开(公告)号：CN112366244A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011100898.1

申请日：2020-10-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯波 ,  陈宜方

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体一种鳍式光伏型硅基等离激元热载流子红外探测芯片及其制作方法。本发明红外探测芯片包括SOI衬底、制作于SOI衬底顶层硅之内的像元阵列、制作于SOI衬底的底层硅中的信号读出电路以及制作于中间介质层内的通孔互连结构。每个单像元器件包括：金属电极、硅纳米线列阵、以及集成于纳米线上的鳍式构筑超表面，以此实现对红外辐射的完美吸收，并将吸收的光子转变成表面等离激元热载流子转移至半导体中，产生光伏信号，实现探测功能。本发明探测芯片采用三维集成工艺制造，将红外感知单元和信号处理单元垂直堆叠起来，层间利用通孔填充技术实现Z方向垂直互联，得到高密度、低功耗、超大阵列规模的单片式焦平面阵列探测芯片。

公开(公告)号：CN104934303B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510327352.2

申请日：2015-06-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  张思超 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。

公开(公告)号：CN104483812A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410702650.0

申请日：2014-11-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  陆冰睿

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明属于半导体及纳米加工技术领域，具体为一种利用热显影增强电子束光刻胶对比度的制备厚胶高密度光滑图形的方法。本发明包括：对衬底表面进行清洗和烘干处理；在衬底上旋涂光刻胶；对所述光刻胶进行前烘和电子束曝光；对所述曝光后的光刻胶进行显影处理，显影过程中实施加温和超声振荡；对显影后的光刻胶进行定影和干燥处理。本发明方法对于电子束光刻过程中的邻近效应有明显的抑制作用，有利于使用低灵敏度光刻胶制备厚胶中高密度光滑图形，能够用于高精度纳米器件结构的制备。

公开(公告)号：CN104465326A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410722573.5

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  李俊洁 ,  陆冰睿

IPC: H01L21/02 ,  G03F7/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用liftoff。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。

公开(公告)号：CN104407499A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410722266.7

申请日：2014-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈宜方 ,  邵金海 ,  陆冰睿

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明属于电子束光刻微纳加工领域，公开了一种使用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用化学放大光刻胶UVIII的方法。其步骤包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂六甲基二硅胺（HMDS）作为粘附层增加光刻胶和基片的粘接力；在基片上旋涂化学放大UVIII电子束光刻胶，前烘；电子束光刻，对UVIII进行曝光；对曝光后的光刻胶进行后烘；用配置的氢氧化钾溶液进行显影、用去离子水进行定影，用氮气枪吹干，得到光刻图形。利用本发明，解决了电子束用化学放大胶的显影问题，相对于传统的ShipleyCD26显影液具有成本低，制备简单，环境友好，可靠性高，得到的图形分辨率高，重复性好等优点，在微纳加工光学器件中有着广泛的应用背景。

公开(公告)号：CN101135842B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200710047408.4

申请日：2007-10-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 万景 ,  屈新萍 ,  谢申奇 ,  陆冰睿 ,  疏珍 ,  刘冉 ,  陈宜方

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/08

Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。