公开(公告)号：CN102157692A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110068781.4

申请日：2011-03-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  王井舟 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。

公开(公告)号：CN102157692B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110068781.4

申请日：2011-03-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  王井舟 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。

公开(公告)号：CN102227014A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110075293.6

申请日：2011-03-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王井舟 ,  于浩 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。