公开(公告)号：CN102516875A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110372757.X

申请日：2011-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲁海生 ,  屈新萍 ,  王敬轩

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06

CPC classification number: C23F1/28 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。

公开(公告)号：CN102516875B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201110372757.X

申请日：2011-11-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲁海生 ,  屈新萍 ,  王敬轩

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06

CPC classification number: C23F1/28 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。

公开(公告)号：CN102304327A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110186116.5

申请日：2011-07-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 鲁海生 ,  屈新萍 ,  王敬轩

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/06

CPC classification number: C23F1/28 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明属于微电子工艺中技术领域，具体为一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液。该抛光液包含0-5%比重的氧化剂，0.1-25%的比重的研磨颗粒，0.001-10%比重的螯合剂，0.01-10%比重的抑制剂，以及余量的水。所述抑制剂为2巯基噻唑啉，2巯基苯骈噻唑，或其它噻唑衍生物，或他们之中几种的混合物。所述抛光液pH值范围为3-5。本发明的抛光液所使用抑制剂能同时有效抑制铜和钴的静态腐蚀，降低铜和钴的抛光速率，因而有效降低抛光过后缺陷的产生。