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公开(公告)号：CN102157692B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN102227014A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110075293.6
申请日：2011-03-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种具有金属纳米晶电极的阻变存储器及其制备方法。金属纳米晶底电极的制备采用超薄金属膜快速热退火处理法、拉LB膜法或者金属纳米颗粒的化学分散法制备获得。底电极制备完成后，依次再淀积阻变介质层、顶电极，最终形成具备金属纳米颗粒底电极的无机RRAM器件。该存储器的典型特征是：金属纳米颗粒处的电场得到增强，施加一定电压后与金属纳米颗粒电极接触处的介质层最容易形成导电通路，可以很大程度上减小导电通路在阻变存储器中形成的随机分布，从而达到阻变特性稳定的目的。
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公开(公告)号：CN102214791A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110150827.7
申请日：2011-06-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于PEDOT：PSS材料的有机动态随机存储器及其制备方法。本发明通过在衬底材料上依次淀积底电极Au、介质层PEDOT：PSS以及顶电极Au，形成结构为Au/PEDOT:PSS/Au的存储器器件。由于PEDOT：PSS在不同偏压下会表现出高阻性的还原态和低阻性的氧化态，且具有断电自动恢复到氧化态的特性，故可以将这种结构投入到易失性的有机动态随机存储器的应用当中。
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公开(公告)号：CN102543690A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004325.8
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种通过N型半导体衬底局部表面费米能级解钉扎优化金半接触结构的方法。本发明利用PS微球作为掩膜，将单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形。进而在PS微球的掩蔽下，淀积金属接触电极，然后去除PS微球，经退火处理，形成局部高势垒金半接触。再对暴露出的半导体表面实行局部解钉扎处理，再次淀积同一种金属电极材料形成低势垒金半接触，从而最终在同一块半导体衬底上实现高低势垒在金半接触界面上的规律分布，因而提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通PS球自对准刻蚀技术与局部解钉扎技术的结合，达到了良好的金半接触结构优化效果。
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公开(公告)号：CN102427024A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110419776.3
申请日：2011-12-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543755A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210004176.5
申请日：2012-01-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种实现金属-锗接触中锗衬底表面费米能级解钉扎的方法。锗器件因其高载流子迁移率、可实现低等效氧化层厚度以及与现有工艺的高兼容性等优点，成为目前注目的焦点，但锗严重的表面费米能级钉扎效应却是制约着制备高性能锗基N型MOS器件的问题之一。本发明通过NH3等离子处理锗衬底的方法，在表面形成GeOxNy(x=0.92,y=0.08)介质层，成功实现解钉扎效应，且由于GeON与Ge较小的能量偏移，使得制备的金属/GeON/Ge样品具有较低的接触电阻，因而具有良好的应用价值。
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公开(公告)号：CN102157692A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110068781.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有尖峰状底电极、平整顶电极的有机阻变存储器（RRAM）及其制备方法。本发明首先制备尖峰图形的衬底，然后依次淀积底电极、旋涂有机介质层、淀积顶电极，最终形成具备尖峰状底电极的有机RRAM器件。由于具备尖峰状底电极的RRAM能够在介质层形成一定的电场分布，而在尖峰处电场最大，故导电细丝将优先在尖峰处形成，从而可以很好地提高RRAM的重复性和电流开关比。本发明适用于基于细丝导通原理的有机RRAM器件。
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公开(公告)号：CN102110601B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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公开(公告)号：CN102184912A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110096681.2
申请日：2011-04-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102110601A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010572181.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/312 , H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。
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