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公开(公告)号：CN104934303B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510327352.2
申请日：2015-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体为一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法。本发明首先在硅基底上采用旋涂法依次交替旋涂两种不同灵敏度的光刻胶若干层，然后利用电子束光刻对光刻胶进行曝光，再利用两种显影液对曝光后的样品进行交替显影，最终制备得到具有优异特性的分级层次周期或准周期仿生微纳结构，如仿闪蝶磷翅微纳结构等。本发明结合多层胶技术与电子束光刻技术，制备过程中不需要生物模板，并且能够控制每层胶的旋涂厚度，实现对纵向树枝状周期和占空比的精确控制，制备工艺简单，能得到不同结构参数的蝴蝶磷翅仿生微纳结构。
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公开(公告)号：CN104483812A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410702650.0
申请日：2014-11-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于半导体及纳米加工技术领域，具体为一种利用热显影增强电子束光刻胶对比度的制备厚胶高密度光滑图形的方法。本发明包括：对衬底表面进行清洗和烘干处理；在衬底上旋涂光刻胶；对所述光刻胶进行前烘和电子束曝光；对所述曝光后的光刻胶进行显影处理，显影过程中实施加温和超声振荡；对显影后的光刻胶进行定影和干燥处理。本发明方法对于电子束光刻过程中的邻近效应有明显的抑制作用，有利于使用低灵敏度光刻胶制备厚胶中高密度光滑图形，能够用于高精度纳米器件结构的制备。
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公开(公告)号：CN104465326A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410722573.5
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用liftoff。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。
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公开(公告)号：CN104407499A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410722266.7
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻微纳加工领域，公开了一种使用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用化学放大光刻胶UVIII的方法。其步骤包括：清洗基片，烘干；在基片上旋涂六甲基二硅胺（HMDS）作为粘附层增加光刻胶和基片的粘接力；在基片上旋涂化学放大UVIII电子束光刻胶，前烘；电子束光刻，对UVIII进行曝光；对曝光后的光刻胶进行后烘；用配置的氢氧化钾溶液进行显影、用去离子水进行定影，用氮气枪吹干，得到光刻图形。利用本发明，解决了电子束用化学放大胶的显影问题，相对于传统的ShipleyCD26显影液具有成本低，制备简单，环境友好，可靠性高，得到的图形分辨率高，重复性好等优点，在微纳加工光学器件中有着广泛的应用背景。
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公开(公告)号：CN101135842B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200710047408.4
申请日：2007-10-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU8上，接着SU8作为掩模选择性的去除下层的胶。再经过淀积金属并进行剥离后，衬底上就有了一层有图形的金属层。以此金属层为掩模对衬底进行反应离子深刻蚀，然后去除残余的金属，即得到复制的模板。本发明方法廉价、便捷，易于推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114859668B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210369502.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。
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公开(公告)号：CN106711275B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN104465326B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410722573.5
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种使用电子束光刻、stencil、光学光刻制作石墨烯纳米器件的方法。其步骤包括：在100（300）nm氮化硅隔膜上旋涂300（600）nm的PMMA作为掩膜，用电子束光刻直写出100（200）nm宽，200（500）nm周期的叉指电极，再用RIE刻蚀100（300）nm氮化硅隔膜，得到stencil；用stencil作为掩膜板，用热蒸发把100nm金蒸发到以硅为衬底的石墨烯上；然后用光学光刻定义出pads区域，再用热蒸发蒸发金，最后用lift off。本发明所需的图形化工艺条件，需要电子束光刻机、RIE、光学光刻机、SEM、热蒸发等，利用这些工具，即可实现极小尺寸器件的图形化，并制作出非损伤石墨烯纳米器件。
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公开(公告)号：CN106711275A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611212045.0
申请日：2016-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1136 , H01L31/1804
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背栅极。此器件的工作机理结合场效应正反馈原理和绝缘层上硅的动态耦合效应，在一定的瞬态电压偏置下，通过绝缘层上硅的动态耦合效应，器件的能带呈现出类似于场效应正反馈器件的载流子注入势垒。此注入势垒的高度受到光致载流子的调控，从而使得器件能被光触发而导通。由于基于场效应正反馈效应，此器件具有响应速度快，工作电流高和器件结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN102891077B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210365230.9
申请日：2012-09-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , C23C16/40
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水/正丙醇混合溶液作为氧化剂而与金属源反应生成高k栅介质薄膜；所述高k栅介质薄膜为ⅢA族金属氧化物ⅢB族稀土氧化物、ⅣB族过渡金属氧化物中的其中一种以及它们的二元及二元以上的氧化物中的任一种。相较于现有技术，本发明可以显著改善沉积在石墨烯表面的高k栅介质薄膜的均匀性和覆盖率，且在薄膜沉积工艺中不会破坏石墨烯晶体结构，有助于制备高性能的石墨烯器件。
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