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公开(公告)号：CN113394194A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110101498.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 描述了半导体元件结构。半导体元件结构包含元件、设置在元件之上的第一介电材料，并在第一介电材料中形成开口。半导体元件结构进一步包含被设置在开口中的导电结构，且导电结构包含第一侧壁。半导体元件结构进一步包含被设置在开口中的围绕结构，且围绕结构围绕导电结构的第一侧壁。围绕结构包含第一间隔层及第二间隔层邻近第一间隔层。第一间隔层与第二间隔层是通过气隙所隔开。
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公开(公告)号：CN113130398A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110136206.7
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括提供一结构，此结构包括一基底、一栅极结构、一栅极间隔物、一介电栅极帽盖、一源极/漏极部件、一接触蚀刻停止层覆盖栅极间隔物的侧壁以及源极/漏极部件的一顶面、以及一层间介电层。此方法还包括蚀刻一接触孔穿过层间介电层以及穿过位于源极/漏极部件上的接触蚀刻停止层的一部分，其中接触孔是露出覆盖栅极间隔物的侧壁的接触蚀刻停止层，且露出源极/漏极部件的一顶部。此方法包括在源极/漏极部件上形成一硅化物部件，以及在硅化物部件上选择性沉积一抑制件。除了在接触蚀刻停止层和硅化物部件相会的一转角区域以外，此抑制件未沉积于接触蚀刻停止层的表面上。
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公开(公告)号：CN113054020A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011635510.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极/漏极(S/D)区域、在该S/D区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。
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公开(公告)号：CN112687685A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011109426.2
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/8234
Abstract: 本公开提供一种半导体结构。上述结构包含：半导体基板、在半导体基板的顶表面的第一部分之上的栅极堆叠物、在栅极堆叠物的顶表面的至少一部分之上的层叠介电层。层叠介电层至少包含第一子层及第二子层。第一子层由具有低于用于形成第二子层的材料的介电常数的材料形成，且用于形成第二子层的材料具有高于用于形成第一子层的材料的蚀刻选择比。
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公开(公告)号：CN112509978A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010972252.6
申请日：2020-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法，包括在一基板中形成一第一源极/漏极结构和一第二源极/漏极结构。此形成方法还包括在前述第一源极/漏极结构、前述第二源极/漏极结构及前述基板的上方形成一第一介电层。此形成方法还包括在第一沟槽中形成一栅极电极。此形成方法还包括去除前述第一介电层。此形成方法包括在前述第一源极/漏极结构及前述基板的上方形成一第一导电条状结构。此形成方法还包括部分的去除前述第一导电条状结构，以在前述第一导电条状结构中形成一第二沟槽。此形成方法还包括在前述第二沟槽中形成一第二介电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309964A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757823.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件结构的方法。方法包括在半导体衬底上的介电层中形成沟槽；通过选择性沉积在沟槽的下部中形成第一金属的底部金属部件；在沟槽的上部中沉积阻挡层，阻挡层直接接触底部金属部件的顶面和介电层的侧壁；并且在阻挡层上形成填充在沟槽的上部中的第二金属的顶部金属部件，其中第二金属的组成与第一金属不同。本发明的实施例还提供了半导体器件结构。
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公开(公告)号：CN111223859A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911127155.0
申请日：2019-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例公开半导体装置及其制造方法。半导体装置包含设置在基底上方的鳍片、设置在鳍片的通道区上方的栅极结构使得栅极结构横过鳍片的源极/漏极区、设置在基底上方的多层互连结构的装置级层间介电层，其中装置级层间介电层包含第一介电层、设置在第一介电层上方的第二介电层以及设置在第二介电层上方的第三介电层，其中第三介电层的材料不同于第二介电层的材料和第一介电层的材料。半导体装置还包含与设置在装置级层间介电层中的至栅极结构的接触栅极以及设置在装置级层间介电层中的至源极/漏极区的源极/漏极接触。
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公开(公告)号：CN110021664A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811446592.4
申请日：2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。
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公开(公告)号：CN109427899A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711340793.1
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，在沟道层和隔离绝缘层上方形成栅极结构。在栅极结构的侧面上形成第一侧壁间隔件层。牺牲层形成为使得从牺牲层暴露具有第一侧壁间隔物件层的栅极结构的上部，并且具有第一侧壁间隔件层的栅极结构的底部嵌入到牺牲层中。通过去除第一侧壁间隔件层的至少部分，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成间隔。在去除第一侧壁间隔件层之后，通过在栅极结构上方形成第二侧壁间隔件层，在栅极结构的底部和牺牲层之间形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。
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公开(公告)号：CN106469684A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510859677.5
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/485
Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置的形成方法包括形成第一栅极结构于基板上，形成源极/漏极特征于基板中且邻近第一栅极结构，形成介电层于第一栅极结构及源极/漏极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一栅极结构及源极/漏极特征的第一沟槽，形成第一导电特征结构于第一沟槽中，移除第一栅极结构的第一部分，以形成第二沟槽，以及形成第二导电特征结构于第二沟槽中。
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