一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源

    公开(公告)号:CN108425091A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810256074.X

    申请日:2018-03-27

    Applicant: 南开大学

    Inventor: 张力 黄茜 安世崇

    Abstract: 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源,包括:坩埚加热蒸发部分;硒原子团的高温裂解部分;高温裂解硒蒸发源控制电路。通过对硒原子团的高温裂解,提高蒸发的硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性,使其更容易与金属Cu、In、Ga原子化合,更容易在薄膜表面和内部扩散,改善低温沉积CIGS薄膜的结晶质量,解决在柔性PI衬底上低温生长高质量CIGS薄膜的问题,促进柔性PI衬底CIGS薄膜太阳电池的工业化应用。

    一种获得硅锗薄膜表面增强拉曼散射信号的探测方法

    公开(公告)号:CN107300547A

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710176540.9

    申请日:2017-03-23

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: G01N21/658

    Abstract: 本发明公开了一种获得硅锗薄膜表面增强拉曼散射信号的探测方法,该方法将纳米金属结构作为硅基薄膜的拉曼增强衬底,利用纳米金属结构表面等离子激元形成的强极化场使得硅基薄膜拉曼散射峰中的弱键强度得到增强,从而实现对弱键的探测与分析,即应用于硅基薄膜中的表面增强拉曼散射效应(SERS)。所述本发明中作为拉曼增强衬底的纳米金属结构具有激发出高能表面等离子激元的特性,耦合得到的高能“热点”具有强极化场强,使得制备于其上的硅基材料的Si-Si键、Si-Ge键、Si-O键及Ge-Ge键的极化率增强,从而使得对应的拉曼散射信号强度增大,从而提高探测精度,用于精细结构的分析。

    一种周期性结构的绒面透明导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103515484B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201310416643.X

    申请日:2013-09-13

    Applicant: 南开大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜,包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构,第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm,第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm,构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜;其制备方法:利用水浴方法组装PS微球,用O2等离子刻蚀PS微球,利用PS微球的模板作用,得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是:制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果,作为前电极用于薄膜太阳电池,对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用,可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程,提高光利用率。

    一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法

    公开(公告)号:CN102242345B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201110178404.6

    申请日:2011-06-29

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜的方法,通过调控溅射气氛中氢气含量,利用氢等离子的刻蚀及辅助迁移作用,实现采用磁控溅射氧化锌陶瓷靶材直接制备具有良好陷光特性的高绒度氧化锌透明导电薄膜。本发明有益效果是:制备绒面氧化锌透明导电薄膜,具有低电阻率、高的宽光谱透过率和高散射绒度,在550nm处散射绒度可达15-60%,同时保持方块电阻小于6Ω/□;直接制备绒面氧化锌透明导电薄膜,可避免后腐蚀工艺带来的大面积均匀性难于控制的问题,同时具有良好的可重复性,利于大面积工业化生产;该薄膜可直接应用于单节及叠层薄膜光伏器件中,有利于提高电池的光吸收及光电转换效率。

    一种具有低成本的银纳米线-MXene电极的晶硅太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN118693172A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410661468.9

    申请日:2024-05-27

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池发电技术领域,具体涉及一种具有低成本的银纳米线‑MXene电极的晶硅太阳电池的制备方法。通过使用低温制备工艺,本发明有效避免了传统硅异质结电池在金属化过程中使用昂贵银浆的问题,有利于硅异质结电池金属化成本的降低,同时保持高效的器件性能。通过引入高电导率的银纳米线提升了Ti3C2Tx Mxene的导电性,有效低减小了器件的串联电阻,从而提升整体的性能。本发明提供了一种制备高性能银纳米线‑MXene结构的电极并降低金属化成本的新方法和新思路,具有在晶硅异质结电池器件中广泛应用的潜力。

    一种高电导率的Ti3C2TxMXene-银纳米线复合电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118430875A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410661467.4

    申请日:2024-05-27

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种高电导率的Ti3C2Tx Mxene‑银纳米线复合电极材料及其制备方法,该方法包括将Ti3AlC2前驱体经过氟化锂/浓盐酸混合溶液刻蚀后,通过离心和抽滤得到多层黏土状结构的Ti3C2粉末,随后,通过多次离心、水洗及超声处理,获得特定浓度的单层Ti3C2Tx MXene分散液。通过采用超声喷涂技术,将Ti3C2Tx MXene分散液和银纳米线分散液依次喷涂在玻璃基底上,制备导电薄膜。本发明通过MXene薄膜覆盖银纳米线的离散的导电网格,从而扩大了银纳米线导电面积。同时,MXene作为衬底和纳米线之间的连接层,以及作为隔绝银纳米线接触空气的保护层,使得Ti3C2Tx Mxene‑银纳米线薄膜始终保持结构及电学稳定性。本发明的制备流程快速简便,成本低廉,所得到的复合电极材料具有优异的电导率和稳定性,可应用于太阳能电池、柔性器件和超级电容器等领域。同时,该研究为一维纳米线与二维MXene复合材料的理论研究提供了一定的基础。

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