公开(公告)号：CN107302038B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201710176499.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 黄茜 ,  仝玉鹏 ,  任千尚 ,  侯国付 ,  安世崇 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/054 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

Abstract: 一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法，包括在衬底之上依次制备一个二氧化硅纳米球阵列/银纳米颗粒复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池。其中二氧化硅纳米球阵列采用浸渍提拉法及等离子体刻蚀技术制备获得，银纳米颗粒结构制备工艺为蒸发、溅射、溶胶凝胶、聚焦离子束刻蚀或电子束刻蚀技术中至少一种；薄膜太阳电池包括无机薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池及由以上两种中至少一种构成的叠层太阳电池。本发明有益效果是：表面等离子激元的引入可获得具有定域化高能电场的纳米微腔结构，以增强光程拓展、提升光子剪裁与调制效果，并优化电荷收集性能，利于电池光学及电学特性的同步提升。

公开(公告)号：CN107302038A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710176499.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 黄茜 ,  仝玉鹏 ,  任千尚 ,  侯国付 ,  安世崇 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/054 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/054 ,  H01L51/42 ,  H01L51/447

Abstract: 一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法，包括在衬底之上依次制备一个二氧化硅纳米球阵列/银纳米颗粒复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池。其中二氧化硅纳米球阵列采用浸渍提拉法及等离子体刻蚀技术制备获得，银纳米颗粒结构制备工艺为蒸发、溅射、溶胶凝胶、聚焦离子束刻蚀或电子束刻蚀技术中至少一种；薄膜太阳电池包括无机薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池及由以上两种中至少一种构成的叠层太阳电池。本发明有益效果是：表面等离子激元的引入可获得具有定域化高能电场的纳米微腔结构，以增强光程拓展、提升光子剪裁与调制效果，并优化电荷收集性能，利于电池光学及电学特性的同步提升。

公开(公告)号：CN108493262A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810256309.5

申请日：2018-03-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张力 ,  黄茜 ,  安世崇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1876

Abstract: 一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，采用高温裂解硒蒸发源，提高硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性，从而提高薄膜的质量，实现在柔性衬底之上生长高结晶质量的铜铟镓硒薄膜材料，获得高效铜铟镓硒化合物薄膜太阳电池。本发明的有益之处在于有效解决了在柔性衬底之上低温生长高质量铜铟镓硒薄膜的问题，促进柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池的工业化应用。

公开(公告)号：CN108425091A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810256074.X

申请日：2018-03-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张力 ,  黄茜 ,  安世崇

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/52 ,  H01L31/032

Abstract: 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源，包括：坩埚加热蒸发部分；硒原子团的高温裂解部分；高温裂解硒蒸发源控制电路。通过对硒原子团的高温裂解，提高蒸发的硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性，使其更容易与金属Cu、In、Ga原子化合，更容易在薄膜表面和内部扩散，改善低温沉积CIGS薄膜的结晶质量，解决在柔性PI衬底上低温生长高质量CIGS薄膜的问题，促进柔性PI衬底CIGS薄膜太阳电池的工业化应用。

公开(公告)号：CN107300547A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710176540.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 黄茜 ,  仝玉鹏 ,  安世崇 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: G01N21/65

CPC classification number: G01N21/658

Abstract: 本发明公开了一种获得硅锗薄膜表面增强拉曼散射信号的探测方法，该方法将纳米金属结构作为硅基薄膜的拉曼增强衬底，利用纳米金属结构表面等离子激元形成的强极化场使得硅基薄膜拉曼散射峰中的弱键强度得到增强，从而实现对弱键的探测与分析，即应用于硅基薄膜中的表面增强拉曼散射效应（SERS）。所述本发明中作为拉曼增强衬底的纳米金属结构具有激发出高能表面等离子激元的特性，耦合得到的高能“热点”具有强极化场强，使得制备于其上的硅基材料的Si-Si键、Si-Ge键、Si-O键及Ge-Ge键的极化率增强，从而使得对应的拉曼散射信号强度增大，从而提高探测精度，用于精细结构的分析。