公开(公告)号：CN111987183B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202010842044.4

申请日：2020-08-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  延玲玲 ,  李宇翔 ,  李仁杰 ,  任慧志 ,  石标 ,  王鹏阳 ,  黄茜 ,  许盛之 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

公开(公告)号：CN111987183A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010842044.4

申请日：2020-08-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  延玲玲 ,  李宇翔 ,  李仁杰 ,  任慧志 ,  石标 ,  王鹏阳 ,  黄茜 ,  许盛之 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段，通过调控Sn和O元素的比例，即x值，同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料，简化工艺流程，同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺，降低成本；另一方面，无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能。