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公开(公告)号：CN115498111A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN118027869A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410168514.1
申请日：2024-02-06
Applicant: 南开大学
IPC: C09J163/00 , H01L31/043 , H10K39/15 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J11/08
Abstract: 一种折射率可调的透明导电粘合剂及其在叠层太阳电池中的应用，属于太阳电池的技术领域。首先提供了一种基于纳米TiO2掺杂折射率可调的透明导电粘合剂，采用(3‑氨基丙基)三乙氧基硅烷(APTES)表面改性实现了TiO2纳米颗粒在环氧树脂中的良好分散，获得了不同掺杂TiO2浓度的透明导电粘合剂，其折射率在1.5‑2.3之间连续可调。解决了传统透明导电粘合剂折射率较低(～1.5)，界面光损耗严重，底电池电流低的问题。且该透明导电粘合剂在进行光学调控的同时，其光透过率和比接触电阻未发生明显变化。为进一步提高III‑V族/晶硅、钙钛矿/晶硅等叠层的效率提供了基础。
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公开(公告)号：CN113571649A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110754128.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108198904A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711453544.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/048
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域。该方法是在钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池正表面，利用特殊设计的掩膜板来制备便于封装的透明电极与金电极，再使用平均透过率在89％以上的超薄玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜以及透明AB胶来对钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池进行封装，最大程度地保证了密封性，使得钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN115498111B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119031729A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411119459.3
申请日：2024-08-15
Applicant: 中国长江三峡集团有限公司 , 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种3,5‑二氟苄溴调控钙钛矿结晶的钙钛矿太阳电池、钙钛矿基叠层太阳电池及制备方法，所述钙钛矿太阳电池包括从下至上依次堆叠的透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿层、钝化层、电子传输层和电极。所述钙钛矿基叠层太阳电池包括由下到上依次叠置的硅异质结电池、第一透明电极、空穴传输层、钙钛矿层、钝化层、电子传输层、缓冲层、第二透明电极以及金属电极。本发明的钙钛矿太阳电池和钙钛矿基叠层太阳电池中钙钛矿层均由3,5‑二氟苄溴调控的卤化铅层与有机盐溶液反应得到，通过3,5‑二氟苄溴材料调控两步法钙钛矿的结晶，改善了钙钛矿薄膜的结晶质量，进而提高了钙钛矿基太阳电池的光电转换效率、稳定性和开路电压。
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公开(公告)号：CN113571649B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110754128.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112563428A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011410214.8
申请日：2020-12-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种纳米结构修饰的电子传输层，首先在氧化物电子传输层纳米颗粒原液中混合一定比例易溶解的单分散聚苯乙烯纳米球乳胶溶液，随后采用共旋涂的工艺，制备含有单分散聚苯乙烯纳米球预置结构的电子传输层，最后在甲苯溶液中浸没以去除单分散聚苯乙烯纳米球预置结构，得到具有半球状纳米结构修饰的电子传输层。该结构通过将纳米结构直接制备于电子传输层中，可提升电子传输层的平均透过率及散射绒度，获得更佳的光子利用率，并减少载流子在吸收层与电子传输层界面处的抽取时间，能够起到光子散射与促进光生载流子收集的双重作用，有效提升器件的光电特性。
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公开(公告)号：CN111987183A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010842044.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段，通过调控Sn和O元素的比例，即x值，同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料，简化工艺流程，同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺，降低成本；另一方面，无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能。
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