公开(公告)号：CN108493262A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810256309.5

申请日：2018-03-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张力 ,  黄茜 ,  安世崇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1876

Abstract: 一种实现柔性衬底高效铜铟镓硒薄膜太阳电池的方法，采用高温裂解硒蒸发源，提高硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性，从而提高薄膜的质量，实现在柔性衬底之上生长高结晶质量的铜铟镓硒薄膜材料，获得高效铜铟镓硒化合物薄膜太阳电池。本发明的有益之处在于有效解决了在柔性衬底之上低温生长高质量铜铟镓硒薄膜的问题，促进柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池的工业化应用。

公开(公告)号：CN108425091A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810256074.X

申请日：2018-03-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张力 ,  黄茜 ,  安世崇

IPC: C23C14/20 ,  C23C14/52 ,  H01L31/032

Abstract: 一种用于柔性衬底上低温生长铜铟镓硒薄膜太阳电池的高温裂解硒蒸发源，包括：坩埚加热蒸发部分；硒原子团的高温裂解部分；高温裂解硒蒸发源控制电路。通过对硒原子团的高温裂解，提高蒸发的硒原子在薄膜表面迁移速率和反应活性，使其更容易与金属Cu、In、Ga原子化合，更容易在薄膜表面和内部扩散，改善低温沉积CIGS薄膜的结晶质量，解决在柔性PI衬底上低温生长高质量CIGS薄膜的问题，促进柔性PI衬底CIGS薄膜太阳电池的工业化应用。