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公开(公告)号：CN116130527A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310293391.X
申请日：2023-03-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有微/纳米复合陷光结构的晶硅太阳电池载流子选择性传输层及其制备方法。该微/纳米复合陷光结构载流子选择性传输层包括微米尺寸绒面晶硅和一层具有纳米尺寸绒面载流子选择性传输材料。其具体制备过程为：1）对晶硅硅片进行清洗和制绒，形成微米级尺寸的绒面结构；2）在绒面硅片上面制备一层具有纳米尺寸绒面载流子选择性传输材料。本发明公开的一种具有微/纳米复合陷光结构的晶硅太阳电池载流子选择性传输层，能够同时实现对长波光和短波光的宽光谱陷光，能够明显提高入射光的利用率，从而提高晶硅太阳电池的短路电流密度，从而进一步提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN108183169A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN107564989A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710594187.6
申请日：2017-07-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，提出了一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，该结构是在叠层电池顶、底电池反向p-n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL，其导带与价带间较小的能级差值可以有效的增强隧穿结处的载流子复合。此外，底电池p层与隧穿结处的梯度带阶有效的促进了底电池与隧穿结处的空穴抽取，避免了隧穿结界面间电荷的大量累积。而且添加高掺杂浓度的TRL后，隧穿结处缺陷态密度增加，电子空穴通过缺陷辅助隧穿，复合和隧穿几率增加。该结构所采用的异质结可有效提升底电池的光谱响应，减小开压损失，且其制备方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN104593749B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510071882.5
申请日：2015-02-11
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开一种PECVD系统真空腔室中辉光放电时屏蔽干扰的方法，是在真空腔室内设有一矩形或圆形围护结构的屏蔽框，并具有辉光观察窗孔和良好的接地措施，可以有效地规避真空腔室内复杂结构和几何特征对辉光所带来的不良影响，将不规则的机械结构屏蔽在限定的辉光区域之外，即屏蔽了可能带来的尖端放电效应又收敛了辉光区域的扩散，增强辉光区域的稳定性和辉光颜色的均匀性，降低辉光功率的损耗，为沉积优质的层膜提供了保证。本发明适用于正方体形或圆柱体形的真空腔室，结构简单可靠，对整体设备布局和真空腔室内的结构不构成负面影响，辉光观察窗孔可以很方便地实时查视辉光状态，成本低，易于实施。
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公开(公告)号：CN101187016A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710150229.3
申请日：2007-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: C23C16/505
Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF－PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF－PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116487451A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310293361.9
申请日：2023-03-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/14 , H01L33/00 , H10K50/14 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于化合物‑纳米线‑化合物多层结构的太阳电池载流子选择性传输层及其制备方法。该载流子选择性传输层的特征在于两层化合物薄膜中间加入一层纳米线，组成多层膜结构。其具体制备过程为：1）制备第一层化合物薄膜；2）在第一层化合物薄膜上制备一层纳米线；3）在纳米线上制备第二层化合物薄膜。本发明公开的多层结构载流子选择性传输层的优势在于保持高透过率同时，通过纳米线的加入提升了整体的导电性，有利于减小太阳电池的串联电阻，从而提高太阳电池的性能。
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公开(公告)号：CN111987183A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010842044.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段，通过调控Sn和O元素的比例，即x值，同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料，简化工艺流程，同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺，降低成本；另一方面，无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能。
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公开(公告)号：CN111554764A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010250940.1
申请日：2020-04-01
Applicant: 南开大学
Inventor： 张晓丹 , 陈兵兵 , 李兴亮 , 李玉成 , 王鹏阳 , 黄茜 , 许盛之 , 侯国付 , 魏长春 , 陈新亮 , 任慧志 , 张德坤 , 丁毅 , 李跃龙 , 王广才 , 李宝璋 , 赵颖
IPC: H01L31/043 , H01L51/42
Abstract: 本发明开发了一种高效稳定的钙钛矿/硅两端叠层太阳电池，该叠层电池以窄带隙钙钛矿电池为顶电池，通过中间连接层与底部晶硅电池构成两端的叠层结构电池，确保叠层电池获得高开压的前提下解决顶、底电池的电流匹配问题。即利用适当窄带隙钙钛矿电池开压损失小的特点，使顶部电池获得更大的电流，同时通过适当增加底部晶硅电池的受光面积来补偿底电池的电流损失，从而实现顶、底电池的电流匹配，在获得高效叠层电池效率的同时保障电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN102220565B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110156698.2
申请日：2011-06-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用于硅薄膜电池陷光结构研究的化学气相沉积设备，包括镀膜装置和气体管路，镀膜装置包括镀膜室和装片室，镀膜室内设有衬底、加热器和带筛孔的气盒，装片室设有内部的层式样品架、侧面样品推动杆和顶部的层式样品架升降机构，镀膜室和装片室分别通过管道与真空泵组抽气管道连接；在O2/CO2、B2H6和Ar气携带H2O气或DEZn的气体管路中分别设有控制气体通断的气动阀、流量计、压力表、针阀、水密封储罐和DEZn密封储罐并通过管道进入镀膜室。本发明的优点：该化学气相沉积设备，可对样品进行大面积的镀膜并实现源材料的多种选择，提高镀膜效率；可控制薄膜的具体生长过程，操作简单且可靠稳定，提高硅薄膜太阳电池的性能，具有重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN100511728C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710061325.0
申请日：2007-09-30
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种利用绒面临时衬底制备柔性转移衬底太阳电池的方法，该方法将金属衬底浸入电解液中进行表面处理，使金属衬底具有绒面结构，然后在绒面金属铝箔上制备前电极、然后激光切割、制备P-I-N层、激光切割、制备背电极、激光切割和层压聚合物衬底，最后再去除金属衬底制成柔性转移衬底太阳电池。所述本发明中作为柔性转移衬底的金属衬底表面平整且具有绒面结构，使在其表面沉积的前电极也随之具有一定的绒度，从而使所制备的太阳电池具有很好的陷光结构，提高太阳电池效率。
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