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公开(公告)号：CN112239195B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202011114499.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。
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公开(公告)号：CN115734627A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211629549.8
申请日：2022-12-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及钙钛矿器件技术领域，尤其涉及一种钙钛矿器件的封装方法。本发明提供的封装方法，包括以下步骤：将甲基丙烯酸甲酯、2‑甲基‑2‑丙烯酸‑2‑羟乙基酯磷酸酯和2‑羟基‑2‑甲基‑1‑苯基丙酮混合，得到封装浆料；将所述封装浆料涂覆在钙钛矿器件的表面后覆盖玻璃板，进行光固化。所述封装方法能够提高器件的光电流密度，进而提高器件的效率，能够明显改善器件的户外稳定性。
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公开(公告)号：CN114005900A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111359268.0
申请日：2021-11-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/05 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/043
Abstract: 一种高效的III‑V族/硅两端叠层太阳电池，采用前表面绒面的晶硅电池为底电池，通过透明导电粘合剂与平面III‑V顶电池构成两端的叠层结构。本发明专利开发了一种基于透明导电粘合剂键合的III‑V族与晶硅的叠层电池技术，采用绒面晶硅电池作为底电池，增加了底电池的长波吸收，解决了晶硅底电池与商业绒面晶硅电池工艺不兼容的难题。即利用含有大粒径导电颗粒的透明导电粘合剂，实现平面的III‑V族顶电池与前表面绒面的晶硅底电池的桥接。且该粘合剂透过率高，纵向导电率高，可以在获得高效叠层电池的同时，为后续III‑V族与晶硅两端叠层电池的商业化应用打开了新空间。
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公开(公告)号：CN115498111B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113571649B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110754128.7
申请日：2021-07-05
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂ATMP‑K的氧化锡电子传输层的制备方法及其在钙钛矿太阳电池中的应用。解决了氧化锡层光电性不足以及其与钙钛矿层界面稳定性差的问题，为氧化锡在钙钛矿太阳电池中的应用提供了一种简单的思路。本发明所述电子传输层的制备工艺如下：采用ATMP与KOH溶液混合制备成ATMP‑K混合溶液，再与SnO2前驱体溶液混合得到掺杂ATMP‑K的SnO2前驱体溶液。将掺杂前驱体溶液旋涂在导电衬底上，得到掺杂ATMP‑K的SnO2电子传输层。本发明所述SnO2电子传输层能够在低温下制备，制备工艺简单，成本低廉，有效提高载流子的利用率，增加钙钛矿太阳电池的开路电压，提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112239195A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011114499.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：前驱体溶液于所得的衬底上旋涂，获得氧化物薄膜；再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质，退火得到该聚合物电解质薄膜；最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极，制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。
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公开(公告)号：CN115568263A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211188723.X
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供了一种太阳电池中钙钛矿活性层的制备方法，属于太阳电池技术领域。本发明通过在一次反溶剂制备钙钛矿薄膜的过程中引入二次反溶剂，并向二次反溶剂中引入具有钝化钙钛矿效果的钝化材料MAI(甲胺碘)，可以预补偿后退火过程有机盐挥发带来的I空位缺陷，然后采用传统表面钝化方法进行钝化处理，可以实现同时使用两种钝化材料来钝化表面缺陷，会进一步降低表面缺陷态密度，从而显著提高电池的开路电压和填充因子，增加电池的光电转换效率，提升器件性能。该方法不仅可以实现钙钛矿活性层的表面钝化效果，还能改善结晶动力学，提升结晶质量。
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公开(公告)号：CN115498111A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN113921620B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111359180.9
申请日：2021-11-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/0725
Abstract: 一种折射率渐变特性的减反射膜的制备方法。本发明开发了一种折射率渐变特性的nc‑SiOx:H减反射膜，通过调整反应气体中CO2流量来调整nc‑SiOx:H中Si、O的比例，即x的值(0
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