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公开(公告)号：CN115498111B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202211188770.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种钙钛矿太阳电池。本发明提供了一种钙钛矿太阳电池，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；所述界面修饰层的材料为双(2‑羟乙基)二甲基氯化铵。所述钙钛矿太阳电池中的界面修饰层的材料能够很好地对钙钛矿表面缺陷进行钝化，进而提高太阳电池的稳定性。
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公开(公告)号：CN118890914A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411198699.7
申请日：2024-08-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种具有发光层及界面协同钝化效果的585 nm钙钛矿发光二极管结构及制备方法，通过引入有机阳离子配体PEA+及无机LiF界面钝化层，构建具有低缺陷态密度的准二维PEA‑CsPb(BrxI1‑x)3钙钛矿发光层材料及器件，形成多重量子阱结构，以增强钙钛矿材料的介电限域效应和激子结合能，实现高效的辐射复合，并钝化载流子传输层与有源层之间的缺陷态密度，降低界面复合，提高了发光量子产率，从而实现钙钛矿发光材料及LED器件关键参数和能量转换效率的提升。
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公开(公告)号：CN118507550A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410661465.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , B82Y30/00 , H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本发明公开了一种具有氧化钼/金属纳米颗粒/氧化钼（MAM）空穴选择性接触层的晶硅异质结太阳电池的结构及制备方法。该具有MAM空穴选择性接触层的晶硅异质结电池的特征在于空穴选择性接触层采用两层MoOx薄膜中间加入一层金属纳米颗粒，组成MAM多层膜的结构。本发明公开的一种具有MAM空穴选择性接触层的晶硅异质结电池的优势在于保持空穴选择性接触层MAM薄膜高功函数的同时，通过金属纳米颗粒的加入降低接触电阻，大幅提升空穴载流子的传输能力，进而提升太阳电池转换效率。
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公开(公告)号：CN112510151B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202011410467.5
申请日：2020-12-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种同步实现钙钛矿电池能带与界面修饰的方法，包括选择光学特性、电学特性、及采用磁控溅射法制备的能级匹配的无机氧化物缓冲层材料，并对缓冲层与电子传输层界面之间进行气氛处理。该方法的采用，一方面可以通过合适的材料选择，构成电子传输路径上的能级匹配，从而起到减缓能级势垒，降低载流子复合的效果。另一方面，采用气氛处理，可有效钝化界面缺陷态、减少漏电流，提高吸收层结晶质量。该方法可以在不改变电池整体结构的基础上实现器件能级和界面性质的改善，获得电池器件效率的有效提升。
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公开(公告)号：CN112563428A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011410214.8
申请日：2020-12-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种纳米结构修饰的电子传输层，首先在氧化物电子传输层纳米颗粒原液中混合一定比例易溶解的单分散聚苯乙烯纳米球乳胶溶液，随后采用共旋涂的工艺，制备含有单分散聚苯乙烯纳米球预置结构的电子传输层，最后在甲苯溶液中浸没以去除单分散聚苯乙烯纳米球预置结构，得到具有半球状纳米结构修饰的电子传输层。该结构通过将纳米结构直接制备于电子传输层中，可提升电子传输层的平均透过率及散射绒度，获得更佳的光子利用率，并减少载流子在吸收层与电子传输层界面处的抽取时间，能够起到光子散射与促进光生载流子收集的双重作用，有效提升器件的光电特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183169B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学 , 天合光能股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN104409528B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201410729536.7
申请日：2014-12-01
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱特性改善的HAZO/AZO复合透明导电前电极，采用磁控溅射及后腐蚀技术，以玻璃或聚酰亚胺为衬底材料，以ZnO∶Al2O3陶瓷靶为靶材原料。首先通过在溅射气氛中引入一定量的氢气，沉积第一层HAZO材料，随后切断氢气通路，原位生长第二层AZO材料，其中HAZO厚度占总厚度的25‑75％，经湿法腐蚀处理，获得具有宽光谱范围内透过率及散射绒度性能提升的HAZO/AZO复合透明导电前电极。本发明有益效果是：该复合透明导电前电极400nm透过率大于75％，400‑1100nm平均透过率大于80％，腐蚀后800nm散射绒度大于70％，400‑1100nm平均散射绒度大于60％，可有效提高薄膜太阳电池的入射光通量及光程，提升电池效率及稳定性。
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公开(公告)号：CN103469206A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310399347.3
申请日：2013-09-05
Applicant: 南开大学
IPC: C23C28/04 , C23C14/35 , C25D11/12 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于多孔氧化铝模板的绒面前电极的制备方法，步骤为：1）将高纯铝箔依次进行退火、超声清洗、去除自然氧化层、电化学抛光、二次阳极氧化和去除未氧化的铝基底，得到具有U孔结构的透明氧化铝模板；2）将上述透明的氧化铝模板移植到玻璃衬底上，并保持U孔朝下；3）在移植有氧化铝模板的玻璃衬底之上，采用磁控溅射技术制备一层氧化锌基透明导电薄膜材料，获得基于多孔氧化铝模板的绒面前电极。本发明的优点：通过有序多孔氧化铝模板的引入和磁控溅射工艺，直接制备具有纳米结构的高电导透明导电薄膜并作为陷光前电极材料应用，在获得陷光特性的同时，保证了光生载流子的有效传输，有利于硅基薄膜太阳电池光学及电学特性的同步提升。
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公开(公告)号：CN103337562A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310291907.3
申请日：2013-07-12
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/048 , H01L31/0224 , C23C14/22 , C23C14/14 , C23F1/36
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种宽光谱高透过、高绒度和低电阻的透明导电薄膜及其制备方法。该方法在ZnO薄膜表面沉积一层Al覆盖层，在高温下对薄膜进行退火处理，经过湿法腐蚀工艺处理后得到形成具有高电导、高透过率、宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
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公开(公告)号：CN111987183A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010842044.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出一种基于双极性的SnOx晶硅太阳电池。本发明在晶硅太阳电池中借助一种技术手段，通过调控Sn和O元素的比例，即x值，同时引入了x≤1.8的双极性的SnOx作为空穴选择性接触材料和x≥1.9的SnOx作为电子选择性接触材料，简化工艺流程，同时也避免了高温扩散工艺或者高成本的制造工艺，降低成本；另一方面，无掺杂、宽带隙的载流子选择材料SnOx引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能。
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