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公开(公告)号：CN102206799A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110098970.6
申请日：2011-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C23C10/08 , H01L21/334
Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。
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公开(公告)号：CN102163568A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110053772.8
申请日：2011-03-07
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G01R31/2621 , H01L22/14
Abstract: 本发明公布了一种提取MOS管沿沟道电荷分布的方法，应用于MOS管中界面态与栅介质电荷分布的提取。包括：把一个MOS管加入到测试电路中，用电荷泵电流测试法测得应力前后MOS管两条漏端开路或源端开路的电荷泵电流曲线，一条为原始曲线，一条为应力后曲线；寻找原始曲线上任意一点A对应到应力后曲线上一点B，通过局部点的电荷泵电流变化量和电压的变化估算局部产生界面态电荷和栅介质层电荷量。与现有的提取分布方法相比，这种方法在能够计算机的辅助下能简单快捷提取出从漏或源端到沟道中电荷的分布，省去了大量的繁琐的反复测试，可以为器件可靠性的改进提供有效的依据。
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公开(公告)号：CN106898643B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710156417.0
申请日：2017-03-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公布了一种高迁移率沟道双纳米线场效应晶体管及其制备方法。首先在Fin条底部、顶部和侧壁形成锗扩散阻挡层，对锗硅Fin条进行氧化，利用锗硅在氧化硅上氧化时趋于形成纳米线结构的特点，在Fin条顶部和底部分别形成纳米线结构；同时，利用锗聚集技术，使锗向Fin条顶部和底部扩散，提高沟道中锗组分，进而提高载流子迁移率，从而提高驱动电流。另外，双纳米线结构可以在提高驱动电流的同时节省芯片面积。
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公开(公告)号：CN108376709A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810198645.9
申请日：2018-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub-Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub-Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124275B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201410356251.3
申请日：2014-07-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。
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公开(公告)号：CN103311301B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310169244.8
申请日：2013-05-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78648
Abstract: 本发明公开了一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中，位于SOI器件体区正下方的埋氧层的厚度在10nm以下，并且在体区正下方的埋氧层与衬底之间设置有高掺杂的埋氧电荷控制层。本发明在体区正下方的埋氧层的厚度减薄至10nm以下，辐射时该区域陷入的正电荷数量也随之减小；同时使体区内的电子遂穿入薄的埋氧层并与辐射产生的陷阱正电荷发生复合的概率增大；并且埋氧电荷控制层，降低了辐射在埋氧中的陷阱正电荷对体区电势的影响。本发明利用简单的制备方法，在不影响常规电学特性的前提下，有效的改善了SOI器件的辐射响应。
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公开(公告)号：CN103295890B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310208388.X
申请日：2013-05-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/02321 , H01L21/0206 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0234 , H01L21/28255 , H01L21/28264 , H01L21/31155 , H01L21/324 , H01L21/3245 , H01L29/517
Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。
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公开(公告)号：CN102903625B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210397259.5
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。
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公开(公告)号：CN103219384B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310115866.2
申请日：2013-04-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L27/0251 , H01L29/0673 , H01L29/66439 , H01L29/66795 , H01L29/775
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层，两层隔离层之间形成夹心。夹心与衬底的掺杂类型相反，与衬底形成分流pn结，并且分流pn结电极与漏极并不相连，这样被分流pn结收集的部分电荷不会输出到漏极，最终可以从多栅器件内导出，从而减弱了单粒子效应的影响。与现有技术的多栅器件相比，本发明可以做到在两者版图面积几乎相同的前提之下，有效地提高器件抗单粒子辐射的能力。
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