公开(公告)号：CN105551941B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN104332442A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410616327.1

申请日：2014-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  黎明 ,  安霞 ,  赵阳 ,  张冰馨 ,  刘朋强 ,  夏宇轩 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/8238 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892

Abstract: 本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度，并在注入后通过牺牲氧化的方法改善由于离子注入、淀积掩蔽层与场区氧化物带来的锗基衬底表面的粗糙度的退化。本发明工艺简单，与传统硅基CMOS工艺兼容，易于实现。

公开(公告)号：CN103151254A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084986.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：CN103295890B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN103887241A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/324

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN103887241B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410080933.6

申请日：2014-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  刘朋强 ,  张冰馨 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种适用于锗基阱的制备方法，包括如下步骤：对锗基衬底进行清洗；在锗基衬底上淀积一层注入掩蔽层；注入所需的杂质；退火实现杂质的激活；去除注入的掩蔽层；用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度。利用离子注入的方法精确控制阱的深度与掺杂浓度。利用牺牲氧化的方法改善去除掩蔽层后锗基衬底表面的粗糙度。由于高能量离子注入，及带掩蔽层的杂质激活退火会带来衬底表面粗糙度的退火。由于退火过程中锗衬底会氧化形成锗的亚氧化物，导致表面粗糙度退化。用H2O2氧化30s，使锗基衬底表面形成GeO2，再利用HCl去除GeO2层，实现减小表面粗糙度。

公开(公告)号：CN105551941A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02365

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。

公开(公告)号：CN103295890A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。