公开(公告)号：CN108376709A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810198645.9

申请日：2018-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  张冰馨 ,  王家宁 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub-Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub-Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。

公开(公告)号：CN108376709B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201810198645.9

申请日：2018-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  张冰馨 ,  王家宁 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T形介质层，隔断了辐照后sub‑Fin区域连通源漏的泄漏电流通道，可以减小辐照引起的器件关态泄漏电流退化。与普通体硅FinFET相比，本发明器件关态泄漏电流更小；且制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，可以免去PTS掺杂。

公开(公告)号：CN107946354A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711144513.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的SOI FinFET器件及其制备方法。所述SOI FinFET是在SOI衬底上通过刻蚀形成上部宽大、下部窄小的“π”形Fin条结构，其剖面形貌与字母“π”相似。“π”形Fin条下部宽度较小，因此两侧栅间距更小，使得栅对Fin条下部电势控制能力增强，从而有效减弱总剂量辐射在BOX中产生的氧化层陷阱电荷以及Fin/BOX界面态对器件特性的影响，提高其抗总剂量辐射能力。

公开(公告)号：CN107910362A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711146246.X

申请日：2017-11-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  王家宁 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量辐射的FinFET器件及其制备方法。所述器件在半导体衬底上通过刻蚀形成“哑铃”形Fin条结构，一方面，增强了栅对“哑铃”形Fin条较薄中部电势控制能力，能够有效减少辐照在STI区引起的陷阱电荷对Fin条电势的影响；另一方面，增大了Fin两侧STI区距离，降低辐照引起的器件关态泄漏电流退化。相比普通体硅FinFET，本发明的“哑铃”形Fin条结构还增强了器件常态栅控能力，具有更大的开态电流。