公开(公告)号：CN104124275B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410356251.3

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。

公开(公告)号：CN103311301B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310169244.8

申请日：2013-05-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  武唯康 ,  冯慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78648

Abstract: 本发明公开了一种抑制辐射引起背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中，位于SOI器件体区正下方的埋氧层的厚度在10nm以下，并且在体区正下方的埋氧层与衬底之间设置有高掺杂的埋氧电荷控制层。本发明在体区正下方的埋氧层的厚度减薄至10nm以下，辐射时该区域陷入的正电荷数量也随之减小；同时使体区内的电子遂穿入薄的埋氧层并与辐射产生的陷阱正电荷发生复合的概率增大；并且埋氧电荷控制层，降低了辐射在埋氧中的陷阱正电荷对体区电势的影响。本发明利用简单的制备方法，在不影响常规电学特性的前提下，有效的改善了SOI器件的辐射响应。

公开(公告)号：CN103219384B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310115866.2

申请日：2013-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  谭斐 ,  黄良喜 ,  冯慧 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/0251 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层，两层隔离层之间形成夹心。夹心与衬底的掺杂类型相反，与衬底形成分流pn结，并且分流pn结电极与漏极并不相连，这样被分流pn结收集的部分电荷不会输出到漏极，最终可以从多栅器件内导出，从而减弱了单粒子效应的影响。与现有技术的多栅器件相比，本发明可以做到在两者版图面积几乎相同的前提之下，有效地提高器件抗单粒子辐射的能力。

公开(公告)号：CN104124275A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410356251.3

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。

公开(公告)号：CN103219384A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310115866.2

申请日：2013-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  谭斐 ,  黄良喜 ,  冯慧 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L27/0251 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法。本发明的多栅器件包括：衬底；在衬底上且分别位于两端的源区和漏区；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构和介质层；在鳍型结构和介质层上的栅介质和栅电极；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层，两层隔离层之间形成夹心。夹心与衬底的掺杂类型相反，与衬底形成分流pn结，并且分流pn结电极与漏极并不相连，这样被分流pn结收集的部分电荷不会输出到漏极，最终可以从多栅器件内导出，从而减弱了单粒子效应的影响。与现有技术的多栅器件相比，本发明可以做到在两者版图面积几乎相同的前提之下，有效地提高器件抗单粒子辐射的能力。

公开(公告)号：CN104241385A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410490291.7

申请日：2014-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种具有较小版图面积的环栅场效应晶体管，包括：衬底(1)；在衬底上的浅槽隔离区STI(5)；在衬底上且被STI区包围的源区(2)；被源区包围的栅介质(7)；覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)；以及被栅包围在中心的漏区(3)；其中，所述的栅介质(7)具有折叠、嵌套或并列这三种结构之一或之二或之三的任意组合，使得栅介质(7)在较小的有源区面积下具有较大的栅宽，其中有源区面积包括源区、漏区和沟道区。本发明在保证场效应晶体管具有抗辐照的环栅结构特点的同时，对器件的栅进行了弯曲折叠、嵌套或并列排布，大大缩小了器件的版图面积，减小了源漏区寄生电容。

公开(公告)号：CN103367450A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310167855.9

申请日：2013-05-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  武唯康 ,  冯慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁与隔离氧化层之间设置有U型保护层，沿着沟道的宽度方向形状成U型。本发明在体区中引入U型保护层，即使辐射使得在厚的埋氧层和隔离氧化层中陷入大量的电荷，重掺杂的U型保护层也很难发生反型。对于全耗尽SOI器件，由于埋氧上方存在重掺杂区，背面体区-埋氧层界面处的表面电势不容易受到辐射在埋氧中陷入的正电荷的影响，因此引入重掺杂的U型可以减小辐射对全耗尽SOI器件前栅阈值电压的影响。

公开(公告)号：CN102938418A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210440187.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄良喜 ,  武唯康 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下。本发明光刻SOI器件的埋氧层形成凹陷区，外延生长半导体材料并对其分区域进行掺杂，形成防泄漏区，位于中间的第二部分为重掺杂区，不易被辐射在埋氧形成的带正电的陷阱电荷反型，可以有效地抑制辐射引起的SOI器件的背栅泄漏电流，增加了SOI器件在辐射环境下的可靠性。本发明只需要在常规SOI器件的制备过程中引入光刻、外延及离子注入掺杂等常规工艺方法，因此，工艺流程简单且与现有的工艺技术兼容。

公开(公告)号：CN102769016A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210289276.7

申请日：2012-08-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  武唯康 ,  黄良喜

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。本发明由于增加介质保护区，可有效隔断器件源区和漏区收集电荷的路径，改善了器件的单粒子特性。

公开(公告)号：CN103367450B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310167855.9

申请日：2013-05-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  谭斐 ,  安霞 ,  武唯康 ,  冯慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、LDD区及隔离氧化层，其中，在体区的下表面和埋氧层的上表面之间，以及体区在宽度方向上的两个侧壁与隔离氧化层之间设置有U型保护层，沿着沟道的宽度方向形状成U型。本发明在体区中引入U型保护层，即使辐射使得在厚的埋氧层和隔离氧化层中陷入大量的电荷，重掺杂的U型保护层也很难发生反型。对于全耗尽SOI器件，由于埋氧上方存在重掺杂区，背面体区-埋氧层界面处的表面电势不容易受到辐射在埋氧中陷入的正电荷的影响，因此引入重掺杂的U型可以减小辐射对全耗尽SOI器件前栅阈值电压的影响。