公开(公告)号：CN104124275B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201410356251.3

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。

公开(公告)号：CN104124275A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410356251.3

申请日：2014-07-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种抗总剂量、微剂量辐射的回行多叉指器件及其制备方法。本发明的回行多叉指器件包括：衬底；在衬底上的浅槽隔离区；在衬底上且被STI区包围的有源区；栅为一条盘绕在有源区上的折线或曲线，栅的两端分别过覆盖STI区；以及覆盖在栅介质上的栅电极材料。本发明在保证较大沟道宽度、较小有源区面积、源漏完全对称的同时，可以有效的减少辐照引起的位于源漏之间的泄漏通道的数目，有效提高器件的抗总剂量辐射、抗微剂量辐射的能力。

公开(公告)号：CN104241385A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410490291.7

申请日：2014-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  武唯康 ,  安霞 ,  刘静静 ,  陈叶华 ,  张曜 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种具有较小版图面积的环栅场效应晶体管，包括：衬底(1)；在衬底上的浅槽隔离区STI(5)；在衬底上且被STI区包围的源区(2)；被源区包围的栅介质(7)；覆盖在栅介质上的栅电极材料(4)；以及被栅包围在中心的漏区(3)；其中，所述的栅介质(7)具有折叠、嵌套或并列这三种结构之一或之二或之三的任意组合，使得栅介质(7)在较小的有源区面积下具有较大的栅宽，其中有源区面积包括源区、漏区和沟道区。本发明在保证场效应晶体管具有抗辐照的环栅结构特点的同时，对器件的栅进行了弯曲折叠、嵌套或并列排布，大大缩小了器件的版图面积，减小了源漏区寄生电容。