公开(公告)号：CN119236122B

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411793890.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) ,  北京市营养源研究所有限公司

Inventor： 朱诗玮 ,  纪凤娣 ,  许洪高 ,  李志强 ,  崔立刚

IPC: A61K49/22

Abstract: 本发明公开一种液态胃肠超声检查用试剂及其制备方法。本发明的液态胃肠超声检查用试剂包括水性介质和能够与水性介质形成均质混合物的发芽青稞粉。本发明的液态胃肠超声检查用试剂较好地消除了胃肠腔的黏液干扰，提高了胃肠腔停留时间，延长了排空时间，为操作者提供了更加充裕的时间，减少了病人的等待时间，提高了检查准确性，避免了调制过程，消除了微生物感染源。此外，本发明的液态胃肠超声检查用试剂还具有使用方便、易于饮服、可吸收消化、无副作用、应用广泛等优点。

公开(公告)号：CN119236122A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411793890.6

申请日：2024-12-09

Applicant: 北京大学第三医院(北京大学第三临床医学院) ,  北京市营养源研究所有限公司

Inventor： 朱诗玮 ,  纪凤娣 ,  许洪高 ,  李志强 ,  崔立刚

IPC: A61K49/22

Abstract: 本发明公开一种液态胃肠超声检查用试剂及其制备方法。本发明的液态胃肠超声检查用试剂包括水性介质和能够与水性介质形成均质混合物的发芽青稞粉。本发明的液态胃肠超声检查用试剂较好地消除了胃肠腔的黏液干扰，提高了胃肠腔停留时间，延长了排空时间，为操作者提供了更加充裕的时间，减少了病人的等待时间，提高了检查准确性，避免了调制过程，消除了微生物感染源。此外，本发明的液态胃肠超声检查用试剂还具有使用方便、易于饮服、可吸收消化、无副作用、应用广泛等优点。

公开(公告)号：CN108822212B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201810588853.X

申请日：2018-06-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘合力 ,  丁焕弟 ,  刘建梅 ,  梁文君 ,  徐飞 ,  林兆晗 ,  李志强

IPC: C07K16/28 ,  C12N15/13 ,  A61K39/395 ,  A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种选择性识别致癌性突变体KIT ITD的单克隆抗体及其应用。所述抗体的重链和轻链的可变区中的高变区(CDRs)和框架区的特定序列共同决定了其对KIT ITD的选择性，可选择性抑制胃肠道间质瘤中致癌性突变体KIT ITD。利用此抗体的可变区序列以及框架区序列，可制备人‑鼠融合抗体或者人源化抗体，在临床上用于治疗KIT ITD类型的胃肠道间质瘤。

公开(公告)号：CN102222687B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110171004.2

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。本发明可以减弱费米能级钉扎效应，降低电子势垒，进而改善锗基肖特基NMOS器件的性能。与现有的采用单层绝缘介质材料如氧化铝(Al2O3)等相比，本发明能够有效降低肖特基势垒并能保持较低的源漏电阻，在很大程度上改善了器件性能。

公开(公告)号：CN102222687A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110171004.2

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41783 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛、氧化镓或锶钛氧等低导带偏移量ΔEC介质材料。本发明可以减弱费米能级钉扎效应，降低电子势垒，进而改善锗基肖特基NMOS器件的性能。与现有的采用单层绝缘介质材料如氧化铝(Al2O3)等相比，本发明能够有效降低肖特基势垒并能保持较低的源漏电阻，在很大程度上改善了器件性能。

公开(公告)号：CN102206799A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110098970.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  黄如 ,  林猛 ,  郭岳 ,  李志强 ,  张兴

IPC: C23C10/08 ,  H01L21/334

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理，以实现在基片上淀积硅钝化层；最后再淀积一层高K栅介质材料后，退火。本发明可以大大减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、有效地抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效率。

公开(公告)号：CN103295890B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102136428A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110026949.5

申请日：2011-01-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN103295890A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310208388.X

申请日：2013-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李志强 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02321 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离子加速到栅介质表面时能量达到5～50eV，氟等离子体漂移到栅介质中，高K介质中的氟离子的密度与高K介质中氧原子密度比为0.01～0.15∶1。本发明提高了栅介质质量和钝化缺陷效率，减小界面态密度，实现了锗基和三五族化合物基MOS器件性能地提高。

公开(公告)号：CN102227001B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110170991.4

申请日：2011-06-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  李志强 ,  安霞 ,  郭岳 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/16 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基NMOS晶体管的性能，而且制作工艺与硅CMOS技术完全兼容，保持了工艺简单的优势。相对于现有工艺制备方法，本发明结构及其制造方法简单、有效地提升锗基肖特基NMOS晶体管的性能。