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公开(公告)号：CN103681289A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310723730.X
申请日：2013-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28158 , H01L21/28211
Abstract: 本发明公开了一种采用原位臭氧氧化制备氧化锗界面修复层的方法，该方法包括：选择Ge衬底，去除Ge衬底表面的自然氧化层，然后将其转移到原子层沉积系统的腔体中，在Ge衬底表面沉积一层Al2O3薄膜作为氧化过程中的O3阻挡层；利用原子层沉积系统中的前驱体O3作为氧化剂，在Al2O3／Ge界面处氧化形成一层GeOx界面层；将在Al2O3／Ge界面处形成有超薄GeOx界面层的Ge衬底放入原子层沉积反应腔体中，在Al2O3薄膜上沉积高k栅介质；利用快速退火炉对其先后进行栅介质沉积后退火及低温氧气退火，进一步提升氧化物栅介质质量，改善高k介质／Al2O3／GeOx／Ge界面质量。本发明实现了Ge基MOS器件中栅叠层所要求的界面稳定性与高质量，适用于Ge基MOS电容、MOSFET及其他含有Ge基栅叠层的器件。
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公开(公告)号：CN103594331A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201210292229.8
申请日：2012-08-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L33/0054 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种锗量子点结构的制备方法，该方法包括：在单晶硅衬底的表面沉积一氧化锗层；在一氧化锗层表面沉积阻挡层，形成由单晶硅衬底、一氧化锗层和阻挡层构成的复合结构；以及加热该复合结构，位于单晶硅衬底与阻挡层之间的一氧化锗层被分解为高价氧化锗和锗量子点结构，从而获得由高价氧化锗包覆的锗量子点结构。本发明具有低成本、方法简易、便于集成、可大规模制备的优点。
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公开(公告)号：CN103022214A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210576133.4
申请日：2012-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；于刻蚀该Ge基外延薄膜的外侧直至该Ge/Si缓冲层中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于该Ge基外延薄膜的上表面中心部分制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该Ge基外延薄膜上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。
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公开(公告)号：CN119517744A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411562920.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/46
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法，包括：在衬底上制备非晶氧化物半导体沟道薄膜，得到含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品；将样品放入等离子设备的反应腔中，并对反应腔进行抽真空处理；对抽真空后的反应腔内通入反应气体与辅助气体；对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第一次调节以在反应腔内激发反应气体起辉生成等离子体；在预设的第一时间阈值内，对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第二次调节以改变等离子体的密度与能量，在反应腔内实现非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理。该方法利用氧等离子体与含氧非晶氧化物半导体薄膜之间的氧交换，降低沟道中的氢浓度，提高非晶氧化物半导体沟道的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117936587A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410063765.3
申请日：2024-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种双栅薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该双栅薄膜晶体管包括：底栅电极层，位于衬底上方；底栅介质层，覆盖底栅电极层上表面、侧表面和衬底至少部分上表面；沟道层，包括n－沟道层和设置在n－沟道层两侧的n+沟道层，沟道层覆盖底栅介质层上表面；p+层，堆叠设置于n－沟道层上方，p+层与n－沟道层构成p+n－结；顶栅介质层，堆叠设置于p+层上方；顶栅电极层，堆叠设置于顶栅介质层上方且与底栅电极层相连接；源极和漏极，分别位于沟道层两侧上方；n－沟道层、p+层、顶栅介质层和顶栅电极层的长度相等。本公开还提供了一种双栅薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN109922590B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115376903A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211029082.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种半导体栅结构的微波等离子体后处理方法，包括：将半导体栅结构置于反应腔内，调节反应腔内微波的输入功率和反应气体的压强，利用微波能量耦合反应气体激发产生等离子体；利用等离子体提供气氛原子在半导体栅结构中扩散所需的能量，调节处理时间对半导体栅结构进行退火掺杂。该方法利用等离子体激发提供气氛原子在栅结构中扩散所需的能量，而非利用微波产热进行热能后处理提供了半导体栅结构后处理的新思路，避开了高温对栅结构的损伤，从工艺上提供了新的退火方法，满足工业界“低温”和“高质量”的要求。
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公开(公告)号：CN114334644A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011072990.1
申请日：2020-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料掺杂后退火的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体材料；在半导体材料上形成覆盖层；对形成有覆盖层的半导体材料进行掺杂；将掺杂后的半导体材料放入反应腔，调节微波输入功率以及气体压强，以激发反应腔中的反应气体产生等离子体，并基于等离子体对掺杂后的半导体材料进行退火处理；在退火处理后，去除覆盖层。上述方法提供了一种完全不同于传统热退火的全新的退火方式，通过激发等离子体来实现退火，从原理及工艺上实现了对现有退火方法的改进。
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公开(公告)号：CN110049614B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910354079.0
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种微波等离子体装置，其中，包括：等离子体反应单元，具有一腔体；原子态控制单元，包括梯度电极，所述梯度电极设置于所述腔体内，配置为在腔体至少部分空间内产生梯度电场；气体单元，用于向等离子体反应单元的腔体内通入气体；微波产生单元，产生并传输微波至该至少部分空间。本发明的装置借助梯度外部电场扰动装置，能够实现原子态等离子的产生、筛选与维持，还可以实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发。
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