公开(公告)号：CN103022214B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210576133.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  郭浩 ,  陈洪钧 ,  张雄 ,  常虎东 ,  薛百清 ,  韩乐 ,  王盛凯

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；于刻蚀该Ge基外延薄膜的外侧直至该Ge/Si缓冲层中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于该Ge基外延薄膜的上表面中心部分制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该Ge基外延薄膜上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。

公开(公告)号：CN103832970B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210491190.2

申请日：2012-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  李运 ,  王盛凯 ,  张雄 ,  郭浩 ,  孙兵 ,  常虎东 ,  赵威

IPC: B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。

公开(公告)号：CN103022215A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210576570.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  郭浩 ,  陈洪钧 ,  张雄 ,  常虎东 ,  薛百清 ,  韩乐 ,  王盛凯

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；在该Ge基外延薄膜上形成的P型Si；在该P型Si上形成的减反层；于刻蚀该减反层的外侧直至该n型Si衬底中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于刻蚀该减反层的内侧直至该P型Si上表面而形成的台阶上制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该减反层上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。

公开(公告)号：CN103022215B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210576570.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  郭浩 ,  陈洪钧 ,  张雄 ,  常虎东 ,  薛百清 ,  韩乐 ,  王盛凯

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；在该Ge基外延薄膜上形成的P型Si；在该P型Si上形成的减反层；于刻蚀该减反层的外侧直至该n型Si衬底中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于刻蚀该减反层的内侧直至该P型Si上表面而形成的台阶上制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该减反层上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。

公开(公告)号：CN103832970A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201210491190.2

申请日：2012-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  李运 ,  王盛凯 ,  张雄 ,  郭浩 ,  孙兵 ,  常虎东 ,  赵威

IPC: B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。

公开(公告)号：CN103022214A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210576133.4

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘洪刚 ,  郭浩 ,  陈洪钧 ,  张雄 ,  常虎东 ,  薛百清 ,  韩乐 ,  王盛凯

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法，该波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底形成的Ge/Si缓冲层；于该Ge/Si缓冲层上沉积的SiO2层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge基外延薄膜；于刻蚀该Ge基外延薄膜的外侧直至该Ge/Si缓冲层中而形成的台阶上制备的n型Si接触电极Al；于该Ge基外延薄膜的上表面中心部分制备的P型Si接触电极；以及在被刻蚀后的该Ge基外延薄膜上形成的钝化层。利用本发明，解决了现有近红外探测器中二维光子晶体光子禁带效应的应用，以及Ge与Si晶格失配所产生的应力的释放等问题。