-
公开(公告)号：CN112038406B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202010891911.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种具有铁电背栅的二维材料双栅场效应器件，包括：绝缘衬底(100)，背部栅电极(200)，形成于绝缘衬底(100)上，铁电介质层(300)，形成于背部栅电极(200)上，以及，绝缘衬底(100)未被背部栅电极(200)覆盖的表面上，二维材料沟道(400)，形成于铁电介质层(300)上，漏电极上，并且位于二维材料沟道(400)的两侧，顶部常规栅介质层(600)，形成于二维材料沟道(400)以及漏电极(501)、源电极(502)的表面上，顶部栅电极(700)，形成于顶部常规栅介质层(600)上。该器件结构可以实现将存储和计算集成在一个晶体管，具有功耗低、占用面积小，可推广性强的优点。(501)和源电极(502)，形成于铁电介质层(300)
-
公开(公告)号：CN116432583A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310196083.5
申请日：2023-03-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/373 , G06F30/367
Abstract: 本公开提供一种小信号模型及小信号模型的参数提取方法，该小信号模型包括寄生单元和本征单元。本征单元包括第一连接结构和第二连接结构，第一连接结构与第二连接结构并联。第一连接结构包括：结电阻、结电容和串联电阻，结电阻与结电容并联连接，结电阻与结电容形成的并联连接结构与串联电阻串联；第二连接结构包括：耦合电阻以及耦合电容，耦合电阻与耦合电容串联连接。本公开通过在本征单元增加耦合电阻和耦合电容来表征阵列碳纳米管之间的耦合效应，更精确的反应器件的频率特性，提高器件模型的准确率。且通过本公开提供的参数提取方法提取得到的仿真结果与器件测试得到的实际结果，也具有良好的拟合精度。
-
公开(公告)号：CN110534409B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201910713563.8
申请日：2019-08-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件。方法为：在硅衬底上形成规律性密布的腐蚀坑；在所述腐蚀坑内第一次低温生长GaAs；在所述第一次低温生长GaAs进行第一次离子注入、退火；在所述第一次离子注入、退火之后进行第二次低温生长GaAs；在所述第二次低温生长GaAs进行第二次离子注入、退火；在所述第二次离子注入、退火之后高温生长GaAs。本发明实现了硅器件和上GaAs的高效外延，避免使用Ge中间层，提高了材料质量，并且所采用的外延方式可以大幅降低缓冲层厚度，实现实现硅基GaAs材料轻薄化。
-
公开(公告)号：CN114628372A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210174446.0
申请日：2022-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于碳纳米管的金属氧化物半导体电容结构，包括：衬底；碳纳米管薄膜层，位于衬底上；底电极金属层，部分位于碳纳米管薄膜层上，另一部分位于衬底上；金属氧化物层，位于碳纳米管薄膜层上；顶电极金属层，位于金属氧化物层上；其中，碳纳米管薄膜层和顶电极金属层为圆环结构。
-
公开(公告)号：CN112290198A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011019895.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种可变形天线及其制备方法。一种可变形天线，包括依次层叠的电阻接地层、可热变形的聚乳酸复合材料层和电波辐射层。其制备方法为：选择电阻接地层和电波辐射层中的其中一个作为基层，在所述基层上热熔沉积3D打印可热变形的聚乳酸复合材料，形成聚乳酸复合材料层；然后在所述聚乳酸复合材料层贴合电阻接地层和电波辐射层中的另外一个。本发明具有热变形特点，实现了天线可控自主变形的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117375A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011019116.1
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法，其中，本发明利用自下而上的方式，采用侧墙技术，提供了一种超导纳米线结构的制备方法，包括：在衬底上沉积牺牲层，去除部分牺牲层和部分衬底，形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层和多个衬底凹槽，每个衬底凹槽在两个剩余部分牺牲层之间；在每个所述剩余部分牺牲层表面和所述衬底凹槽的衬底表面沉积隔离介质层，去除部分隔离介质层，形成具有预设间距的多个剩余部分隔离介质层；通过腐蚀方法去除多个剩余部分牺牲层；清洗衬底表面，在衬底表面外延第一超导纳米线和第二超导纳米线，获得超导纳米线结构。
-
公开(公告)号：CN112038406A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010891911.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L27/1159
Abstract: 一种具有铁电背栅的二维材料双栅场效应器件，包括：绝缘衬底(100)，背部栅电极(200)，形成于绝缘衬底(100)上，铁电介质层(300)，形成于背部栅电极(200)上，以及，绝缘衬底(100)未被背部栅电极(200)覆盖的表面上，二维材料沟道(400)，形成于铁电介质层(300)上，漏电极(501)和源电极(502)，形成于铁电介质层(300)上，并且位于二维材料沟道(400)的两侧，顶部常规栅介质层(600)，形成于二维材料沟道(400)以及漏电极(501)、源电极(502)的表面上，顶部栅电极(700)，形成于顶部常规栅介质层(600)上。该器件结构可以实现将存储和计算集成在一个晶体管，具有功耗低、占用面积小，可推广性强的优点。
-
公开(公告)号：CN110534473A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910691211.7
申请日：2019-07-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法，包括：选区刻蚀化合物半导体外延层，以在化合物半导体上形成腐蚀槽；在外延层的刻蚀面以及腐蚀槽的内槽壁上形成键合介质层；在硅基衬底上涂敷热固性胶层；将上述化合物半导体、硅基互补金属氧化物半导体晶圆键合；刻蚀化合物半导体的衬底、形成部分键合介质层以及胶层。本发明通过选区刻蚀形成的腐蚀槽，利于热固性胶层中气泡的排出，在化合物半导体上形成键合介质层，保护了化合物半导体的表面，通过热固性胶层与键合介质层的键合，实现了化合物半导体的外延层与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的良好键合。
-
公开(公告)号：CN106328522B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610817646.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/285 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管不仅能够实现低的界面态密度，提高沟道迁移率，降低沟道中载流子的散射，而且能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应，在高速、低功耗和高迁移率上，满足了CMOS技术的应用需求。
-
公开(公告)号：CN106298886B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610868474.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III‑V族半导体器件方面具有重要的应用价值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
118
records
(took 0.037 seconds)
