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公开(公告)号：CN117877986A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311830426.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。
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公开(公告)号：CN115341276B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211014090.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种r‑GeO2薄膜单晶的生长方法，包括：A)Ge和GeO2反应，得到气态GeO；B)在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO沉积在预处理的r‑TiO2衬底上，加热生长，即得。本发明通过加热Ge和GeO2的混合物，使之反应生成GeO，再对其进行氧化生成GeO2的生长方式，具有生长条件易控、生长速率高以及晶体质量高等优势，拥有非常广泛的研究和应用场景。
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公开(公告)号：CN119517744A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411562920.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/46
Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理方法，包括：在衬底上制备非晶氧化物半导体沟道薄膜，得到含沟道薄膜的非晶氧化物半导体样品；将样品放入等离子设备的反应腔中，并对反应腔进行抽真空处理；对抽真空后的反应腔内通入反应气体与辅助气体；对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第一次调节以在反应腔内激发反应气体起辉生成等离子体；在预设的第一时间阈值内，对等离子体设备的输入功率与气体分压进行第二次调节以改变等离子体的密度与能量，在反应腔内实现非晶氧化物半导体沟道薄膜的等离子体处理。该方法利用氧等离子体与含氧非晶氧化物半导体薄膜之间的氧交换，降低沟道中的氢浓度，提高非晶氧化物半导体沟道的质量。
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公开(公告)号：CN117936587A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410063765.3
申请日：2024-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种双栅薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该双栅薄膜晶体管包括：底栅电极层，位于衬底上方；底栅介质层，覆盖底栅电极层上表面、侧表面和衬底至少部分上表面；沟道层，包括n－沟道层和设置在n－沟道层两侧的n+沟道层，沟道层覆盖底栅介质层上表面；p+层，堆叠设置于n－沟道层上方，p+层与n－沟道层构成p+n－结；顶栅介质层，堆叠设置于p+层上方；顶栅电极层，堆叠设置于顶栅介质层上方且与底栅电极层相连接；源极和漏极，分别位于沟道层两侧上方；n－沟道层、p+层、顶栅介质层和顶栅电极层的长度相等。本公开还提供了一种双栅薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN115341276A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211014090.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种r‑GeO2薄膜单晶的生长方法，包括：A)Ge和GeO2反应，得到气态GeO；B)在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO沉积在预处理的r‑TiO2衬底上，加热生长，即得。本发明通过加热Ge和GeO2的混合物，使之反应生成GeO，再对其进行氧化生成GeO2的生长方式，具有生长条件易控、生长速率高以及晶体质量高等优势，拥有非常广泛的研究和应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198140A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410308974.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/461
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极分别与有源层电连接。本发明提供的薄膜晶体管能够在光偏置应力、温度波动等不利因素下保持高可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117936373A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097488.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制反应腔中的沟槽型半导体衬底和等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，电场筛的电场为施加到反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对反应腔施加电场筛的电场和微波的输入功率，利用沟槽型半导体衬底加热的方式，对中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。
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公开(公告)号：CN117894851A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410042066.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极接触孔内；源极，通过源极阻挡层与沟道层间隔设置；漏极，通过漏极阻挡层与沟道层间隔设置。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN118315435A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310023087.3
申请日：2023-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L29/24 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该薄膜晶体管包括栅极(2)、绝缘层(3)、有源层(4)、源极(5)和漏极(6)，所述有源层(4)采用氧化物半导体材料制成，所述氧化物半导体材料为In‑Ge‑O材料。本发明提供了一种高迁移率、高稳定性的氧化物半导体材料，通过调控氧空位，在In2O3的基础上掺杂IV族元素中的Ge，形成In‑Ge‑O材料；本发明利用In‑Ge‑O材料作为有源层的材料进一步开发了一种制备温度低、高稳定性和高迁移率(＞70cm2V‑1s‑1)且同时能满足超高分辨率显示驱动需求的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN118315434A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310023059.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物钝化的薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该金属氧化物钝化的薄膜晶体管包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(5)和漏极(6)，还包括：钝化层(4)；其中，所述有源层(3)采用In2O3材料制成，所述钝化层(4)采用GeO2材料制成，用于调控所述有源层(3)中的氧空位。本发明基于In2O3材料的沟道层(如In‑Ga‑O、In‑Ge‑O、In‑Ga‑Zn‑O)，制备一层GeO2薄膜，可以通过调控氧空位，提升氧化物半导体薄膜晶体管的稳定性。
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