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公开(公告)号：CN117877986A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311830426.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。
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公开(公告)号：CN113993239B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111147616.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 钱塘科技创新中心
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的荧光发射装置，包括驻极体发电机101、高压电容102、气体放电管103、硫化锌发光器件104，所述驻极体发电机101与所述高压电容102串联，所述气体放电管103与所述硫化锌发光器件104串联，且在串联后与所述高压电容102并联。可将外界振动能量能转化为450‑570nm波长的蓝绿光脉冲，在可穿戴发光和需要以蓝绿光作为媒介的光通讯上具有重要的应用意义。可以在断续能源供给的情况下输出稳定的、有时间相关性的强脉冲。本发明功耗极低，并不依赖电源，电路结构简单，能源利用效率高。此外，本发明还公开了一种海洋波浪监测系统。
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公开(公告)号：CN115341276B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211014090.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种r‑GeO2薄膜单晶的生长方法，包括：A)Ge和GeO2反应，得到气态GeO；B)在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO沉积在预处理的r‑TiO2衬底上，加热生长，即得。本发明通过加热Ge和GeO2的混合物，使之反应生成GeO，再对其进行氧化生成GeO2的生长方式，具有生长条件易控、生长速率高以及晶体质量高等优势，拥有非常广泛的研究和应用场景。
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公开(公告)号：CN109905955B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201910189788.8
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发。
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公开(公告)号：CN113993239A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111147616.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 钱塘科技创新中心
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的荧光发射装置，包括驻极体发电机101、高压电容102、气体放电管103、硫化锌发光器件104，所述驻极体发电机101与所述高压电容102串联，所述气体放电管103与所述硫化锌发光器件104串联，且在串联后与所述高压电容102并联。可将外界振动能量能转化为450‑570nm波长的蓝绿光脉冲，在可穿戴发光和需要以蓝绿光作为媒介的光通讯上具有重要的应用意义。可以在断续能源供给的情况下输出稳定的、有时间相关性的强脉冲。本发明功耗极低，并不依赖电源，电路结构简单，能源利用效率高。此外，本发明还公开了一种海洋波浪监测系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615770B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810227333.6
申请日：2018-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , G01R29/02 , G01R29/027 , G01R29/24
Abstract: 本申请提供了一种场效应晶体管与检波电路。该场效应晶体管包括依次叠置的背栅层、衬底层、栅介质层、半导体层以及金属电极，且金属电极有两个，两个金属电极间隔地设置在半导体层的远离栅介质层的表面上，栅介质层包括主体和分散在主体中的离子。该场效应晶体管中的栅介质层中包括一定浓度的离子，可以起到栅的作用，并且利用栅介质层/半导体层之间的界面处或栅介质层中的电荷的非平衡分布，实现器件中的电流随时间变化。由此可知，该场效应晶体管的工作发生在断电状态，功耗基本为0，可以有效地节省能源。
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公开(公告)号：CN112133634A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010956754.X
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；通入含氧气体，产生氧等离子体；氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；停止通入含氧气体，反应结束；其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500‑900℃，反应压力为400‑1000mTorr。本发明可以显著提高碳化硅的氧化效率，改善界面质量，形成均匀的栅介质层。
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公开(公告)号：CN106328522B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610817646.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/285 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管不仅能够实现低的界面态密度，提高沟道迁移率，降低沟道中载流子的散射，而且能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应，在高速、低功耗和高迁移率上，满足了CMOS技术的应用需求。
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公开(公告)号：CN108735570B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201810521197.1
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。
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公开(公告)号：CN106298886B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610868474.7
申请日：2016-09-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III‑V族半导体器件方面具有重要的应用价值。
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