-
公开(公告)号：CN103700578B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310740895.8
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延锗硅薄膜与锗薄膜，并对锗硅薄膜与锗薄膜的表面进行光刻和刻蚀，获得锗硅/锗的线条结构；在纯氧或含有氧气的混和气体的气氛下对获得的锗硅/锗的线条结构进行氧化，利用锗与锗硅氧化速率的不同将锗优先氧化为二氧化锗，同时保持锗硅不被氧化；以及利用化学腐蚀的方法除去二氧化锗，获得锗硅纳米线叠层结构。本发明提供的锗硅纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN106158615A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510202692.2
申请日：2015-04-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28211
Abstract: 本发明提供一种臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的制造方法，该方法包括以下步骤：提供一个衬底，其中所述衬底为Ge衬底或者含有Ge薄膜表面的晶片；对所述衬底交替进行高k栅介质生长与臭氧处理，在所述衬底上形成高k/GeOx/Ge栅叠层结构；对所述高k栅介质进行低温氧气退火，以增强所述高k介质质量。利用臭氧钝化高k/Ge界面及改善高k栅介质的方法。不仅在Ge表面得到一层极薄的GeOx层，进而降低EOT，改善了高k/Ge界面质量，起到良好的高k/Ge界面钝化效果。
-
公开(公告)号：CN103903964B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201410147878.8
申请日：2014-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , G03F1/80
Abstract: 本发明公开了一种用氟基气体钝化刻蚀胶掩蔽的薄膜的方法，包括：在待刻蚀材料叠层上旋涂光刻胶并光刻，得到侧壁垂直的胶台柱作为刻蚀掩膜，完成待刻蚀样品的准备；对待刻蚀样品进行常温刻蚀；对常温刻蚀后的待刻蚀样品进行高温原位过刻蚀，去除待刻蚀样品表面的聚合物。本发明利用常温刻蚀各向异性好且刻蚀参数便于控制，以及高温刻蚀能方便去除聚合物等残余物质的优点，得到无聚合物残留的垂直侧壁，且不增加额外的工艺过程并与传统的硅基半导体工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN103633123B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310670650.2
申请日：2013-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。
-
公开(公告)号：CN103839976A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210491141.9
申请日：2012-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02546 , H01L21/02631 , H01L29/0603
Abstract: 本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103700578A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310740895.8
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/02381 , H01L21/02603 , H01L21/0262
Abstract: 本发明公开了一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延锗硅薄膜与锗薄膜，并对锗硅薄膜与锗薄膜的表面进行光刻和刻蚀，获得锗硅/锗的线条结构；在纯氧或含有氧气的混和气体的气氛下对获得的锗硅/锗的线条结构进行氧化，利用锗与锗硅氧化速率的不同将锗优先氧化为二氧化锗，同时保持锗硅不被氧化；以及利用化学腐蚀的方法除去二氧化锗，获得锗硅纳米线叠层结构。本发明提供的锗硅纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
-
公开(公告)号：CN103681245A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310737833.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02096 , H01L21/0209
Abstract: 本发明公开了一种对锗片进行清洗及表面钝化的方法，包括：选择锗片，将锗片置于丙酮和乙醇溶液中分别进行超声清洗，去除锗片表面的有机污染物；采用盐酸溶液和去离子水对锗片进行清洗，去掉残留在锗片表面的不规整的本征氧化锗薄膜和金属离子；将锗片置于双氧水和氨水混合溶液中进行清洗，使得在锗片表面产生一层锗的氧化物薄膜作为牺牲层，从而去除锗片表面的缺陷；采用盐酸溶液对锗片进行钝化处理，从而用氯原子修饰锗表面的悬挂键，获得稳定的锗表面。本发明提供的锗表面清洗与钝化的方法，具有操作简单、使用方便、成本低廉、钝化效果明显等优点。
-
公开(公告)号：CN103628037A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310666486.8
申请日：2013-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C23C16/40 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数氧化物的制备方法，包括：步骤1：设定原子层沉积系统生长参数；步骤2：向原子层沉积系统反应腔体中通入金属前驱体源脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的金属前驱体源；步骤3：向原子层沉积系统反应腔体中通入水脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的水；步骤4：向原子层沉积系统反应腔体中通入臭氧脉冲，紧接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的臭氧；步骤5：依次重复进行步骤2、步骤3和步骤4，获得高介电常数氧化物薄膜。本发明可应用于CMOS栅介质的生长过程中，有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.039 seconds)
