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公开(公告)号：CN118198140A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410308974.X
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/461
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极分别与有源层电连接。本发明提供的薄膜晶体管能够在光偏置应力、温度波动等不利因素下保持高可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117936373A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410097488.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种栅介质层的形成方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该栅介质层的形成方法包括：通过调节输入反应腔的微波的输入功率，使反应腔中含氧气体产生的等离子体处于起辉状态；加电氧化阶段：根据微波的输入功率、电场筛的电场强度和方向，控制反应腔中的沟槽型半导体衬底和等离子体在各方向上进行相同速度的氧化反应，得到中间栅介质层，其中，电场筛的电场为施加到反应腔的可调电场；断电修复阶段：停止对反应腔施加电场筛的电场和微波的输入功率，利用沟槽型半导体衬底加热的方式，对中间栅介质层进行含氧气体的原位退火处理，得到栅介质层。
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公开(公告)号：CN117894851A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410042066.0
申请日：2024-01-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层；沟道层；介质层，位于栅极金属层和沟道层之间；钝化层，包括源极接触孔和漏极接触孔；源极阻挡层，位于源极接触孔内；漏极阻挡层，位于漏极接触孔内；源极，通过源极阻挡层与沟道层间隔设置；漏极，通过漏极阻挡层与沟道层间隔设置。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN117877986A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311830426.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本公开提供了一种多晶体结构的铟镓氧的制备方法、晶体管器件的制备方法及晶体管器件，可以应用于半导体制造领域。该多晶体结构的铟镓氧的制备方法包括：在基底的栅氧化层表面生长铟镓氧薄膜，得到待晶化材料；其中，待晶化材料表征为薄膜晶体管的沟道层；对待处理沟道进行尖峰退火处理，得到目标物，其中，目标物表征为具有多晶体结构的铟镓氧。
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公开(公告)号：CN113993239B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111147616.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 钱塘科技创新中心
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的荧光发射装置，包括驻极体发电机101、高压电容102、气体放电管103、硫化锌发光器件104，所述驻极体发电机101与所述高压电容102串联，所述气体放电管103与所述硫化锌发光器件104串联，且在串联后与所述高压电容102并联。可将外界振动能量能转化为450‑570nm波长的蓝绿光脉冲，在可穿戴发光和需要以蓝绿光作为媒介的光通讯上具有重要的应用意义。可以在断续能源供给的情况下输出稳定的、有时间相关性的强脉冲。本发明功耗极低，并不依赖电源，电路结构简单，能源利用效率高。此外，本发明还公开了一种海洋波浪监测系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113993239A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111147616.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 钱塘科技创新中心
Abstract: 本发明提供一种基于驻极体的荧光发射装置，包括驻极体发电机101、高压电容102、气体放电管103、硫化锌发光器件104，所述驻极体发电机101与所述高压电容102串联，所述气体放电管103与所述硫化锌发光器件104串联，且在串联后与所述高压电容102并联。可将外界振动能量能转化为450‑570nm波长的蓝绿光脉冲，在可穿戴发光和需要以蓝绿光作为媒介的光通讯上具有重要的应用意义。可以在断续能源供给的情况下输出稳定的、有时间相关性的强脉冲。本发明功耗极低，并不依赖电源，电路结构简单，能源利用效率高。此外，本发明还公开了一种海洋波浪监测系统。
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公开(公告)号：CN106298452B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610751120.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
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公开(公告)号：CN106711054A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611242157.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种硅基双栅器件的键合方法。本方法包括：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。本发明通过金属层和硅层的键合，同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合，无须增加额外的键合层，所形成的背栅合金层厚度可以与设计要求极为贴近，并不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容，并且键合形成的中间层很小。
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公开(公告)号：CN106298452A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610751120.4
申请日：2016-08-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列式点压的晶圆键合方法，包括：基于传统的晶圆键合方法，采用了创造性的点压设备，将传统晶圆键合方法的平面各点同时的键合方式改为平面各点非同时异步的键合方式。本发明所陈述的点压键合方法包括：使用热压键合方式准备好待键合的晶圆片，选择好点压设备的单次键合点的大小，将待键合的区域按照单次键合大小划分为等大的阵列点，实际键合过程中，使用点压设备按照这些阵列点，在一定温度一定压力下实施键合。与传统晶圆键合方法所使用的晶圆键合机价格昂贵、操作复杂相比，本发明所使用的点压键合设备制作成本低、操作简单。此外点压键合法具有键合区域的可选择性等特性，能够满足某些特定应用领域下的需要。
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公开(公告)号：CN116298768A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310287355.2
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/265 , G01R31/26 , G01N27/00 , G01N21/84
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学测量模块，照射碳纳米管薄膜晶体管并记录第一阶段对应的电学测试结果，第一阶段对应的电学测试结果包括将发光光源模块发射的光束按不同波段对应的多组电学测试结果；将多个阶段对应的电学测试结果输入至前置数据转换器中，整合成缺陷表征数据库。
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